MOS電晶體俗稱FET，包括結型FET和絕緣柵極FET（又分為增強型和耗盡型FET）。
MOS管應用。
MOS電晶體的用途與電晶體相同，分立MOS電晶體的用途多用作開關，這裡只討論開關的用途。
增強型MOS具有以下特性：如果柵極G最初沒有電壓，則源極S和漏極D不導電。 在一定條件下，可以導通：NMOS管的導通條件是，當柵極G電壓大於源S電壓的一定值時，MOS管導通另一方面，當柵極G電壓小於源S 電壓一定值時，PMOS管導通。
這裡說的“一定值”根據MOS的種類不同而不同，需要查閱他們的說明書來確定，有低壓1 2V可以導通，也有大功率10V以上要導通的。 如果未達到此值，則可能無法完全進行，或者可能無法進行。
在實際使用中，由於MOS內部有寄生二極體，只能作為單嚮導通和截止，不能反轉，否則電流會直接從二極體流出，無法關閉。
MOS管與**管的比較。
MOS電晶體是一種電壓驅動器件，與由電流驅動的電晶體不同，因此兩者的驅動電路不同。
MOS電晶體導通時，等效電阻很小，可以達到毫歐級，當用作開關時，D和S之間的壓降會很小當電晶體飽和時，C和E之間總會有零點幾伏的電壓差，有時會產生較大的功率損耗因此，當涉及到更高電流的開關時，MOS電晶體更合適。
只要MOS電晶體滿足G和S之間的電壓關係，電流就可以正向或反向，但由於內部有寄生二極體，如果反轉也不會關斷，所以在實際使用中只能關掉乙個方向電晶體的電流只能沿乙個方向流動，NPN型只能從集電極C流向發射極E，PNP型只能從發射極E流向集電極C。