技術“解鎖”！國產4nm小晶元量產迎新突破

每當談到卡脖子的問題時，"缺乏核心和靈魂的減少"這一直是乙個迴避的話題，在過去的20年裡，我們國家一直無法擺脫這種局面，而美國的技術封鎖使我們無法在這些領域取得重大突破。

無論是晶元還是作業系統，都是我國面臨的巨大缺口，先進的晶元幾乎被美國控制的公司壟斷，系統也被Microsoft的Windows、蘋果的macOS、谷歌的iOS和Android所壟斷。

目前，在中國，除了華為的紅魔系統外，國內另乙個系統幾乎沒有生存空間，如果美國切斷我們的系統，那麼後果將是不堪設想的，比如來自俄羅斯的蘋果手機使用者之前就已經被限制了。

即使沒有繞過這個系統，在晶元領域，更何況美國是半導體產業的搖籃，技術滲透到產業鏈的每乙個環節，從設計到製造、封裝、測試等，要完全實現去美化是極其困難的。

不過，我們可以在小領域找到突破口，華為已經宣布了疊片的計畫，以及光子片、超導量子片等有前途的途徑，這可以幫助加速中國半導體產業鏈的發展。

既然中國在傳統矽基晶圓領域遭遇了技術封鎖，與其擔心技術先進，不如換個方向，想辦法"彎道超車"現在好訊息來了。

日前，長電科技官宣宣布，公司已研發出高密度多維異構整合系列XDFOI小晶圓工藝，已按計畫進入穩定量產階段，同步達到面向國際客戶的4nm多晶元節點產品封裝整合系統。

與傳統的晶圓設計不同，並非所有電晶體都必須整合在單個晶圓上，但先進的封裝技術可用於整合具有不同功能的多個晶圓，以形成系統晶圓。

這樣一來，小晶圓就可以繞過先進工藝，利用成熟的工藝生產出效能相近的晶圓，完美繞過了美國的技術封鎖！

據了解，長電科技將充分利用該工藝的技術優勢，應用於高效能計算、人工智慧、5G、汽車電子等領域，將為客戶提供更薄、更輕、資料傳輸速率更快、能量損耗更低的成品晶圓製造解決方案。

對於長電科技的這一技術突破，有人認為這是中國突破美國晶圓技術封鎖的捷徑和重要路徑之一，相信很快就會取得重大進展。

毫無疑問，長電科技的這項先進技術將對中國晶圓產業具有重要意義。在摩爾定律放緩的背景下，我們可以使用28nm和14nm等成熟的工藝來生產小晶圓，以達到與5nm甚至4nm晶圓相同的效能。

更重要的是，它還可以顯著降低生產成本，因為成熟工藝的生產成本比先進工藝便宜得多，因此小型晶圓方案也可以互補優缺點，達到一加一大於其各部分之和的效果。

只要我們能成功掌握小晶圓技術，未來就不會因為缺乏EUV光刻技術而無法生產出先進的晶圓，理論上我們可以將現有的DUV光刻技術與小晶圓技術相結合，效能、產量和能耗都可以達到先進的晶圓工藝。

但是，中國要真正打通這個產業鏈還需要一段時間，晶元產業不是網際網絡產業，可以在短時間內實現技術，晶元產業需要日復一日的技術和經驗積累。

但我相信，憑藉中國人的智慧和永不言敗的精神，在小型矽片、串聯矽片甚至光子矽片領域，完全有機會取得突破，一旦中國全面實現突破，就輪到美國頭疼了。

由此可見，美國的技術封鎖打不倒我們，繼續封鎖只會讓我們變得更強大，華為就是乙個典型的例子。