三星與 ASML 合作推進針對 2nm 工藝節點的 EUV 技術

南韓三星與荷蘭半導體裝置製造商ASML簽署了乙份價值1萬億韓元（約合7.）的合同。55億美元）將投資在南韓建設半導體晶元研究工廠，兩家公司將在那裡開發下一代EUV半導體製造技術。該協議將推進EUV技術，並使三星在2nm工藝節點上取得領先地位。

三星電子副董事長兼裝置解決方案部門負責人Kyung Kye-Hyun強調，該公司的最新協議將幫助其獲得下一代High-NA（數值孔徑）EUV光刻掃瞄器裝置。

Kyung表示：“三星已經確保了高數值孔徑器件技術的優先權，我相信我們已經創造了乙個機會，從長遠來看，我們可以優化高數值孔徑技術在DRAM儲存晶元和邏輯晶元生產中的使用。

該報告強調，三星與ASML達成的協議是，兩家公司的工程師將共同努力，在南韓京畿道即將建立的晶元研究工廠改善EUV工藝技術的半導體生產。 此外，三星與ASML的交易並不側重於將2奈米晶元製造裝置帶到南韓，而是與這家荷蘭公司建立合作夥伴關係，以便其能夠更好地利用下一代光刻裝置。

ASML將在未來幾個月內推出一款能夠製造2nm節點晶元的裝置。 其最新的High-NA EUV光刻機的孔徑將從033，增加到 055，這將使晶元製造商能夠使用超精細圖形化技術製造 2nm 節點晶元。

據說ASML計畫明年只生產10臺，而英特爾已經預訂了其中的6臺，再加上三星獲得的光刻裝置，目前留給台積電的機會似乎不多，但ASML計畫在未來幾年內將這台裝置的產能提高到每年20臺。

此外，三星計畫在使用ASML High-NA EUV光刻機後，在2024年底前開始生產2nm節點工藝晶元。 然而，與任何技術和計畫一樣，這些晶元的推出可能會受到市場條件和產量的影響，因此可能會有延遲。