美國瞄準三星、SK海力士和台積電，以壓制中國晶元。
去年10月，美國對中國晶元開放了史上最嚴禁令，意在**中國14nm邏輯晶元製造能力、18nm DRAM製造能力和128層NAND快閃記憶體。
但後來事情脫離了美國的控制，常村是世界上第乙個量產232層NAND快閃記憶體的公司，華為也有麒麟9000S。
於是，一年後的今年10月，美國對中國晶元的禁令再次更新，這一次禁止銷售許多AI晶元，並勒索了無數中國晶元公司，封鎖半導體裝置並再次更新。
特別是光刻機去年的DCO數字不到15、調整後小於2個4。因此，原來的浸沒式光刻機NXT：1980DI，因為DCO值為16、我現在賣不出去。
我們知道浸沒式光刻機經過多次後至少可以支援7nm晶元，而美國對此很擔心，所以乾脆禁止了所有浸沒式光刻機。
不過，美國有三個例外，分別是三星、SK海力士、台積電，它們在中國大陸建廠，不受禁令限制，想買什麼就買什麼，想買什麼高階裝置。
其中，三星和SK海力士對豁免沒有限制，根據現行規定，任何裝置都可以隨時購買。 而台積電暫時只有一年的豁免期，也就是在前一年10月之前，想買什麼就可以買什麼，明年10月之後怎麼辦，暫時還不清楚，說不定還會繼續豁免，誰知道呢。
美國豁免這三家公司的原因其實很簡單，就是希望這三家公司充當美國的殺手鐧，在中國大陸境內打壓中國核心。
在中國，三星和SK海力士主要生產DRAM儲存器和NAND快閃記憶體，產量非常大。
目前，我國本土企業DRAM和NAND生產受到衝擊，生產高階化難度大，產能不足，裝置有限，發展有限。 三星和SK海力士隨便擴產，隨意購買裝置，任其快速發展，自然擠出了中國本土企業的生存空間和市場，而美國則達到了打壓的目的。
在晶元製造領域，邏輯是一樣的。 如果浸沒式光刻機被阻塞，那麼浸沒式光刻機、EUV光刻機和14nm工藝的缺失可能是乙個障礙。
那麼台積電可以隨意擴產，隨意購買裝置，隨意改進工藝，那麼也會擠壓中國本土晶元製造企業的生存空間，這也將達到美國的目標。
由此可見，如果想要真正取得突破，不再畏懼美國的脖子，最終走上獨立自主的道路，實現第一鏈的自主性，只要依靠國外裝備，就可能被美國以各種方式掐住， 你覺得怎麼樣？