國信思辰2Mbit FRAM PB85RS2MC工業級環境下工作，相容FM25V20A

FRAM是一種非易失性儲存器，具有高讀寫耐久性和快速寫入特性，因此在汽車和工業領域有著廣泛的應用。

在汽車領域，FRAM可用於儲存來自各種感測器的資料，例如車載資訊娛樂系統中的GPS，並記錄安全氣囊資料在電池管理系統中記錄電芯的電壓、溫度、電流等資料，監控電池的短期和長期效能狀態胎壓實時記錄在胎壓監測系統中。 此外，FRAM還可用於新能源汽車的電池管理系統BMS。

在工業領域，FRAM可用於各種需要高耐久性、高讀寫速度和低功耗的應用，如儀表、醫療裝置、呼吸機、汽車電子和遊戲機。

國芯思辰的國內FRAM核心技術是鐵電工藝和矽柵CMOS工藝技術形成非易失性儲存單元，無需電池即可儲存資料，因為儲存器可以同時具備RAM和ROM效能，目前認為未來可能會成為取代各種儲存器件的超級儲存器。

與EEPROM相比，PB85RS2MC具有讀寫速度快（高達100萬次）、寫壽命長、寫能耗低等優點。 它的工作電壓範圍為 27V 至 36V，最低待機功耗僅為9微安，可在低電流下瞬間儲存資料，確保系統資訊保安。

PB85RS2MC效能介紹：

介面型別：SPI介面

工作頻率：25 MHz;

保留資料： 10 年 @ 85 （200 年 @ 25 ）;

高速讀取功能：支援40MHz高速讀取命令;

工作環境溫度範圍：-40 至 85 ;

外形尺寸：8 引腳 SOP 封裝，符合 RoHS 標準

效能與MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）相容。

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