隨著晶元技術的不斷進步，光刻機作為晶元製造中不可或缺的關鍵裝置，也在不斷發展和完善。 過去，普通的DUV光刻機只能生產低至65奈米的晶元，而浸沒式DUV光刻機可以生產低至7奈米的晶元。 如今，EUV光刻機能夠生產5奈米及以下的晶元。 光刻機的進步和精度很大程度上決定了晶元工藝的改進。 有了更先進的光刻機，可以製造出更先進的晶元，同時，先進的晶元也促進了光刻機的發展。 據專家介紹，目前的EUV光刻機理論上可以製造2奈米左右的晶元，而下一代EUV光刻機理論上可以製造1奈米左右的晶元。 然而，隨著晶元技術的不斷進步，EUV光刻機也面臨著前進的挑戰。
1.波長限制：將13用更小波長的光源取代5nm波長的光源是乙個突破性的方向。 然而，目前的實驗表明，波長更小的光源幾乎被所有材料吸收，因此必須通過鏡子反射。 然而，收集反射光會導致嚴重的能量損失，從而無法獲得足夠的能量進行光刻。
放大：在光刻中，縮短波長對於提高解像度和捕捉細節的能力非常重要。 儘管現有的EUV光刻機使用了135nm波長的光源，但這個波長在光刻過程中會受到材料吸收的影響，需要通過鏡子反射。 然而，當光通過它反射時，就會發生能量損失，從而限制了光刻過程中可用的能量。 因此，尋找波長較小的光源，克服能量損耗問題，是EUV光刻機發展的重要方向。
2.數值孔徑限制：增加數值孔徑 （NA） 值會增加可以收集和聚焦的光量，從而提高光刻的有效性。 然而，根據ASML的說法，在達到0數值孔徑為55，很難進一步改進。 這一限制限制了進一步提高光刻解像度的可能性。
膨脹：數值孔徑是用來描述光刻機光源聚焦能力的指標，其大小直接關係到能否有效聚焦光線。 更大的數值孔徑意味著光刻機可以收集更多的光，從而提高了光刻過程中的解像度。 但是，根據ASML的說法，一旦數值孔徑達到055、進一步增大數值孔徑的可能性變得非常有限。 這種限制使光刻機在提高解像度方面受到限制。
3.光刻工藝因子限制：增加光刻工藝因子可以提高光刻的解像度，從而提高晶元的精度和細節捕捉能力。 然而，ASML認為，目前的光刻工藝因素已接近物理極限，難以進一步提高。
擴充套件性：光刻工藝因子是衡量光刻工藝能力的重要指標，可以決定光刻工藝的解像度和精度。 光刻工藝因子的增加可以增加光刻過程中可以捕捉到的細節和精度，從而提高晶元的良率和效能。 但ASML認為，目前的光刻工藝因素已接近物理極限，進一步改進的空間非常有限。
在ASML聯席總裁Van Den Brink看來，當EUV光刻機問世時，na=0在55高數值孔徑光刻機之後，不會再有進一步的突破，這將是最後一代EUV光刻機。 他認為，目前的技術已經到了極限，不可能有進一步的突破。 也就是說，EUV光刻機前進的三個方向已經是死胡同，不可能有新的突破。
然而，光刻領域的未來前景仍存在一些未知數。 或許，我們可以借鑑林本堅提出的浸沒式光刻的顛覆性思想，或者轉向其他型別的光刻機。 此外，ASML的繼任者將繼續承擔突破的任務和責任，為光刻機的未來發展做出貢獻。
作為晶元技術發展的重要推動力之一，EUV光刻機因其技術前景備受關注。 然而，在范登布林克看來，EUV光刻機前進的三個方向已經是死胡同，不可能有新的突破。 無論是將光源的波長改變到更小的波長，增加數值孔徑，還是增加光刻工藝因子，目前的技術都接近物理極限。 這一觀點引發了對光刻機未來發展方向的思考和討論。 雖然目前還沒有確定具體的解決方案，但對於行業來說，尋找新的突破和技術創新仍然至關重要。 只有不斷追求創新，才能推動光刻機技術的發展，為晶元技術的不斷進步提供有力支撐。