據路透社報道，美國西德克薩斯州一家法院的陪審團於12月5日宣布判決，顯示歐洲晶元製造商意法半導體（STMicroelectronics）因侵犯電晶體技術專利而需要向普渡大學支付3250萬美元的賠償金。
陪審團同意普渡大學的觀點，即意法半導體在電動汽車充電器和其他產品中使用的碳化矽金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）侵犯了普渡大學用於“高壓電源應用”的電晶體專利。
意法半導體發言人表示：“該公司將對判決提出上訴。 ”
普渡大學（Purdue University）律師麥可·肖爾（Michael Shore）表示，針對意法半導體的證據是“壓倒性的”，該公司可能不得不在2024年專利到期之前支付超過1億美元的特許權使用費。
據悉，MOSFET通常用於電子產品中，用於控制和放大電流。
該糾紛可以追溯到 2021 年，當時普渡大學董事會對意法半導體提起訴訟，指控其侵犯了兩項與太陽能暖通空調系統、汽車充電站和其他可再生能源產品中使用的 MOSFET 電晶體技術相關的專利。
普渡大學的專利涉及高壓電源應用的半導體和MOSFET技術創新，由前普渡大學教授詹姆斯·庫珀（James Cooper）和他當時的學生阿斯公尺塔·薩哈（Asmita Saha）申請，並於2024年獲得專利保護。
近年來，隨著半導體企業數量的增加，專利的權重也與日俱增，專利保護意識也明顯加強。 如今，乙個晶元往往由數十億甚至數百億個電晶體組成，每個電晶體或元件都可以申請專利。 據相關資料顯示，2024年全球半導體專利申請量達到創紀錄的69190件，較五年前的5943件增長380%，較2024年的62770件增長9%21。
如今，專利不僅是製造商爭奪市場的利器，也是全球科技產業競爭的關鍵。 誰能率先申請專利，誰就擁有更多的發言權和主動權。 在當前世界各國自主可控的發展趨勢下，專利將是技術產業之間的無形競爭。