ASML打了台積電的臉，先進技術達到天花板的情況非常罕見。
台積電聲稱其先進技術水平在不斷提高，而其供應商ASML則聲稱光刻工藝領先，現有的晶圓製造工藝也達到了瓶頸，這與台積電的觀點截然相反，可以說是台積電單槍匹馬遮天蓋地，兩種對先進技術的不同看法在業界引起爭議。
半導體光刻的核心技術，從最開始的乾式光刻，到後來的深紫外光刻，再到現在的EUV光刻，都以光刻機為核心器件製造晶元，但具有更短的雷射波長和更精確的光刻方法。
但是，無論採用哪種方法，雷射的波長總是有限的，因此ASML將特別關注未來高NAEUV光刻機的量產，這將成為下一代，因為現有的光刻技術已經走到了盡頭，不可能進一步降低光源的波長來改進工藝。
光刻工藝已經達到瓶頸，矽晶元逐漸走到了盡頭，業界一度認為1nm是矽的上限，但最近一家美國公司宣布，他們可以將矽片提高到07nm，然而，業界發現 07nm只有兩個矽原子那麼厚，如何保證其絕緣性，能否量產存在疑問。
不僅因為矽晶元的效能和光刻的侷限性，台積電的3nm工藝被推遲了，而且2nm的工藝也比過去一兩年慢了很多，這意味著這個過程將變得更加困難。
ASML和台積電可以說是親密的朋友，台積電在2024年之前在半導體行業甚至不如英特爾，台積電被譽為“小兄弟”，一直在尋求新的出路。
2024年左右，ASML掙扎求生，在光刻機上佔據了非常小的市場份額。 在這種情況下，台積電和ASML偶然相遇，並因浸沒式光刻工藝而達成協議。
當時，台積電首席技術官Linn Benjamin正致力於浸沒式光刻工藝的開發，但由於擔心該工藝會結束其乾式光刻工藝而遭到反對;當時，擔心自己生存的ASML看到了商機，找到了Benjamin，兩人達成了共識，促進了兩家公司的合作。
之後，ASML得到了台積電的大力支援，很快研發了浸沒式光刻工藝，台積電是浸沒式光刻的第乙個客戶，雙方擦出了火花，2024年，ASML擊敗了佳能和尼康這兩大最大競爭對手;雖然台積電加速了晶元生產，但台積電直到2024年才開始追趕英特爾，尤其是在10nm製程技術上，台積電已經全面超越了英特爾。
ASML和台積電，過去關係密切，在目前高階半導體的研發上存在分歧，實在是難得，也許ASML會更坦白一些，但台積電畢竟主要是一家晶圓代工廠，台積電絕對不希望自己的晶元生產受到負面影響，但事實可能正如ASML所說， 台積電不僅3nm生產計畫被推遲，台積電3nm生產計畫也被推遲，至今仍未得到使用者認可，甚至2nm生產計畫也無法保證，未來2nm是否會推遲？
相較於台積電自身的考量，台積電提出“未來會繼續進化”的觀點，很多半導體企業對此有不同的看法，因此各大半導體企業都在積極研究新的封裝技術，改變傳統的封裝方式，提高整體能力，從根本上改變傳統的生產工藝，使其能夠從傳統的“高階”邁向“高階”， 從某種意義上說，這驗證了ASML所說的話。高階工藝已經到了瓶頸，需要尋找其他途徑來提高其效率。
在此之前，國際半導體行業也在研究新的半導體材料，他們希望將新材料與當前的工藝相結合，以提高工藝效率，但隨著時間的推移，台積電在半導體領域的發展將變得越來越困難，ASML在台積電面前有些無能為力。