最近,微璧經常聽到一位合夥人說:
為什麼我的MOS管會發熱,明明我的電流不大?”
MOS管的發熱問題是MOS管應用中常見的問題,那麼今天微璞就帶大家了解一下MOS管的發熱問題,以及如何處理這種情況。
我們先來了解一下MOS工作熱的基本情況。
MOS電晶體中有幾個重要引數:導通電阻RDS(ON)、柵極驅動電壓VGS和電流漏源電流ID
其中。 RDS(開啟)。
它與柵極(或驅動)電壓、VGS 和流過開關的電流有關。
在全柵極驅動的情況下,RDS(on)是乙個相對靜態的引數。 MOS管在連續導通的條件下容易發熱,導致發熱,結溫緩慢公升高導致RDS(on)逐漸增大,功率管的損耗也隨之增加,導致MOS管發熱發熱。
綜上所述,MOS管加熱大致可分為以下幾個因素:
電路設計問題MOS管主要工作在線性工作狀態,而不是開關狀態,MOS管由於交貨時間長導致發熱。
2.如果MOS電晶體的驅動頻率過高,則頻率將與導通損耗成正比。 因此,當您加熱時,您可以看到頻率是否過高。 此外,對體積的過度追求也會導致MOS管的頻率增加和損耗增加。
3.如果散熱設計不夠好,通過漏極和源極的導通電流ID會過大,但是,如果ID小於最大電流,也可能發熱嚴重,因此需要足夠的輔助散熱片來幫助MOS管很好地散熱。
4.前面提到的RDS(on)的關鍵引數是MOS管的關鍵引數,它的變化是發熱的主要原因。 因此,選擇導通電阻低的MOS電晶體非常重要,但這裡需要注意的是,內阻越小,CGS和CGD電容越大,具體應用應選擇具有適當內阻的MOS電晶體。
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