中國晶元的兩項技術突破，美國晶元的根基在搖搖欲墜，外媒紛紛認可
中國半導體產業在這一年裡迎來了乙個又乙個好訊息，許多重大突破，其中就包括2項以上的關鍵核心技術，國外**表示，中國在這方面的突破性進展，將撼動美國的半導體根基。
首先，儲存晶元取得了重大進展，國內半導體廠商開發了232層NAND快閃記憶體，與美日韓的先進工藝相比，取得了歷史上的重大突破，推動了國產晶元技術的快速發展。
中國大部分儲存器廠商都成立於2024年，此後，中國儲存器企業先後開發了32層、64層和128層NAND快閃記憶體，現在已經發展到232層。
第二個是建築。 我國自主研發的RISC-V架構已成為我國物聯網（IoT）領域的主流，RISC-V累計交付量已突破100億台。 基於RISC-V技術在物聯網領域的巨大成就，中國半導體行業致力於將RISC-V技術引入手機和個人電腦領域，突破Arm對其的壟斷。
美國的晶元架構對美國構成了巨大的威脅，x86系統完全控制了美國的晶元公司，而Arm則受到美國的極大衝擊，美國的晶元主要依靠核心結構的控制，但中國的RISC-V技術已經突破了美國的控制， 這對美國的積體電路產業無疑是乙個巨大的打擊。
美國長期主導世界晶元產業，約佔全球的70%，但20多年來，美國晶元的份額逐年下降，現在只剩下50%左右，而美國仍然掌握著高階積體電路的核心工藝和基礎設施， 並在世界積體電路市場中發揮著舉足輕重的作用。
現在中國在儲存晶元領域取得了巨大的優勢，在自身的核心架構上取得了巨大的突破，這對美國的半導體產業產生了巨大的衝擊，尤其是以中國為首的RISC-V架構，不僅得到了美國等國際社會的認可， 同時也被國外公司不斷開發，開發了RISC-V結構。
中國儲存器廠商研發的Xtackin架構，擁有完全自主智財權，具有高記憶體密度和高資料速率RISC-V架構主要在中國製造，19家OEM中有12家是中國製造。 隨著100億個RISC-V晶元的發行，其中50%是中國製造的，美國不會像對Arm那樣向它施加壓力，要求其停止。 美國不會像對Arm那樣向Arm施加壓力，要求其減少**。
隨著中國晶元產業的發展，包括EDA軟體、光刻機、光刻膠等晶元裝置和材料的發展，中國將躍居頂峰，成為世界上獨一無二的晶元製造國，這無疑對美國的晶元產業造成了沉重的衝擊，也預示著美國試圖通過組建晶元聯盟來遏制中國晶元產業的企圖注定要失敗。
可以看出，中國自主研發的半導體技術，正不斷向前邁進，不斷打下堅實的基礎，打破美國的束縛，走向自主發展的道路，我們堅信中國的半導體之路會越來越寬，解決晶元的技術瓶頸，讓中國製造業實現快速轉型。