晶圓溫度測量系統 TC Wafer
在半導體製造過程中，晶圓的表面溫度控制至關重要。 任何不均勻的溫度都可能導致產品產量下降，甚至導致產品報廢。 因此，測試晶圓表面的溫度均勻性尤為重要。
首先，我們需要了解為什麼需要晶圓表面溫度均勻性測試。 在半導體工藝中，有許多步驟需要精確的溫度控制，如氧化、擴散、外延等。 如果晶圓表面的溫度分布不均勻，可能會導致薄膜厚度和雜質濃度等引數不一致，從而影響器件的效能和可靠性。 因此，通過測試晶圓表面的溫度均勻性，我們可以及時檢測和調整裝置引數，以確保生產過程的質量和效率。
TC晶圓晶圓溫度測量系統是測量晶圓表面溫度的好方法。
引數要求
晶圓尺寸：2、3、4、5、6、8、12英吋。
測溫點數：1-64點。
溫度範圍：0-1600度。
資料採集系統：1-64通道。
自定義分析軟體。
晶圓溫度計、多通道晶圓溫度測量系統、TC晶圓、晶圓熱電偶。
一般來說，晶圓表面溫度均勻性測試是保證半導體產品質量的關鍵環節之一。 只有通過科學的檢測手段，才能準確掌握晶圓表面的溫度狀態，為優化工藝引數，提高產品質量和良率提供依據。