三星購置10臺EUV光刻機，對晶元製造和2030格局有何影響？
前段時間，南韓**報道：三星計畫購買至少10臺EUV光刻機，目的是擴大4nm邏輯晶元和儲存晶元的產能。
2024年，晶元市場的跌宕起伏將從"核心很難找到"自"生產能力過剩"，沒有一家晶元公司，可謂眼花繚亂。
那麼問題來了：三星逆勢而上是為了什麼？真的只為台積電服務嗎？
三星晶元有多強。
南韓的面積只有中國浙江省那麼大，人口超過500萬，GDP總量為18萬億美元。 但對於像三星這樣的巨頭來說，這絕對是乙個奇怪的現象。
三星的年收入佔南韓GDP的20%，涉及多個行業。 南韓人開玩笑說，南韓人離不開三樣東西：死亡、稅收和三星。
事實上，三星不僅規模龐大，而且技術強大。
三星是世界上最大的晶元公司之一，也是世界上第一家生產儲存晶元的公司。
2024年，全球半導體營收總額為5950億美元，同比增長263%。
其中，三星以731勝出9 億美元的收入和 12 美元3%的市場份額超過了英特爾（12%）。2%），成為全球最大的半導體公司。
三星之所以能取得如此優異的成績，主要得益於晶元製造和儲存晶元的巨大優勢。
兩家實力雄厚的晶元廠商。
台積電和三星是世界上僅有的兩家先進的晶元製造公司。 如果要做7nm、5nm、4nm、3nm晶元，只能選擇台積電或三星。
在先進技術方面，台積電一直與三星正面交鋒，這讓人非常憤怒。 為此，三星也給自己定下了乙個目標：2024年超越台積電，成為晶元代工的領導者。
但實際上，三星在晶元製造領域的份額是163%，這與台積電的53%差距非常大。 那麼，如何實現2024年目標呢？
2024年，三星在半導體裝置上投資43萬億韓元（約合人民幣2300億元），這是該公司最大的半導體投資，主要集中在EUV光刻、尖端工藝等領域。
台積電2024年半導體投資1912億元，排名第二。
英特爾排名第三。
未來五年，三星將投資 237萬億元，新增員工8萬人。 大力追趕和超越。
為了趕上台積電，三星在3nm製程中也選擇了難度更大的GAA技術。
GAA技術，翻譯成中文就是全環形柵極電晶體，可以進一步提高柵極控制能力，克服FinFET技術的物理擴充套件和效能限制。 該技術稱為"摩爾定律"的延續。
在相同尺寸下，GAA技術具有更好的靜電特性和更好的通道控制，因此通道可以更窄，工藝可以更精確。
傳統的FinFET溝道只有三面的柵極包圍，未封閉的一側更容易失去電子，降低了溝道的可控性。
總體而言：GAA技術優於FinFET技術，製造出的晶元不僅效能更好，而且功耗降低了15%-20%。
當然，三星仍在探索和開發這項技術。
台積電3nm採用FinFET電晶體技術，又稱FinFET電晶體，不僅成本更低，而且技術更成熟。
對此，台積電表示：與5nm相比，第一代3nm工藝效能提公升了15-20%，功耗降低了30-35%，電晶體密度提高了13次。 同時，通過技術創新，功耗和速度更加平衡。
台積電還表示："三星的3nm仍略遜於台積電的4nm"。這根本沒有給三星面子。
事實上，台積電並沒有錯，三星3nm工藝的良率非常低，只有30%。 4nm和5nm工藝的良率也低於台積電，漏電率也高於台積電。
否則，高通驍龍不會被戲弄"火龍"，8Gen2也不會離開台積電代工廠。
但無論如何，三星的信心和勇氣依然存在。
儲存晶元是第一位的。
在儲存晶元領域，三星擁有絕對的話語權，是當之無愧的老大。
目前，三星電子、SK海力士和美光佔據了儲存晶元90%以上的份額，其中三星以42%的市場份額位居榜首，SK海力士佔據28%的市場份額，美光佔據25%的市場份額。
三星的DRAM市場份額為427%，NAND市場占有率為34%，手機儲存晶元市場占有率為49%。
公開資料顯示，全球記憶體行業市場規模超過1500億美元，其中Nandflash約為650億美元，DRAM為9110億美元。
未來，隨著資料中心、人工智慧、雲計算等領域對記憶體的需求不斷增長，記憶體行業將繼續保持高速增長。
除了市場份額，三星在儲存技術方面也非常強大。
據悉，三星今年推出了第八代V-NAND產品，以及第五代DRAM產品。
第八代產品為236層3DNAND快閃記憶體晶元，儲存密度為1TB，是目前儲存密度最高的產品。
與現有相同容量的快閃記憶體晶元相比，該晶元可將單晶吞吐量提高多達20%，進一步降低成本，預計未來將出現更便宜的SSD。
傳輸速度也提高了 12 倍到 24Gbps，可滿足PCIe40 和 50 效能要求，使 SSD 輕鬆傳輸超過 12GB 的速度。
第五代DRAM基於10nm工藝技術，將於2024年量產，採用32GBDDR5方案。
三星還表示，未來將繼續在DRAM研發上投入更多資源，開發新的架構和材料，到2024年實現1000層V-NAND技術。
可以看出，三星已經形成"高市場占有率，高周轉率，研發投入，尖端技術，征服市場"良性迴圈。
但即便如此，它仍然未能實現三星超越台積電、成為名副其實晶元第一的雄心壯志。
10EUV光刻是什麼意思？
我們知道，7nm晶元必須使用EUV光刻技術。 現實情況是，EUV光刻機只能由荷蘭的ASML製造，沒有其他公司可以與之匹敵。
ASML的EUV光刻機年產能非常有限，約40臺，台積電的40臺佔產能的一半，其餘的則由三星和英特爾瓜分。
看到這裡，你大概可以想想，為什麼台積電、三星、英特爾都創造了先進的製造工藝！因為其他公司沒有EUV光刻機。
目前，三星已經宣布購買至少10臺EUV光刻機，一方面是為了擴大自身的先進製造能力，另一方面也不可避免地提到了台積電。
一台EUV光刻機的**是12億元，10臺意味著120億元的支出，加上設施、原材料等，這無疑是一筆巨大的支出。
但三星認為這筆費用是值得的。
根據ASML的資料，一台EUV光刻機在一小時內可以處理100個12英吋晶圓，如果每天執行24小時，則每天可以處理2,400個晶圓。
一塊12英吋的晶圓的表面積約為70659平方公釐，而蘋果A16的表面積為132平方公釐，按照ASML的計算公式，減去邊緣，可以製造500顆蘋果A16。
如果這台機器每天 24 小時滿負荷運轉，它每天可以生產 120 萬件和 4 件3億片。
當然，在現實中，EUV光刻機的效率遠未達到這個水平，良品率也不會達到100%，但即便是30%的效率，也不容小覷！
10臺EUV光刻機怎麼樣？如果功率最大化，生產能力將迅速擴大。
除了擴大產能，這個時候晶元行業的投資會更低，畢竟晶元現在都在流水線上，無論是裝置、產品還是材料等，都比較低。
台積電呢？它會讓三星翻身嗎？當然不是！
台積電緊急部署先進產能。
作為晶元代工的龍頭，台積電自然不會閒著。
12月6日，台積電亞利桑那州新工廠舉行盛大的"入住儀式"。
亞利桑那州工廠總投資400億美元，計畫到2024年大規模生產3奈米晶元。 台積電的舉動確實傷了部分台灣人的心，但無可奈何！
首先，美麗的祖國要回歸製造業，台積電首當其衝;其次，想要留住蘋果的大客戶，總是要付出代價的。
幸運的是，在工廠投產後，蘋果、特斯拉、英偉達、美光等公司紛紛表示，將把產能轉移到工廠。
要知道，僅蘋果就貢獻了台積電1 4的業績，先進產能佔了一半以上。
當晶元恐慌時，台積電直接將代工率提高了10%-20%，但蘋果只漲了3%左右，為什麼？因為台積電已經離不開蘋果了。
如果蘋果將產能轉移到三星的旗艦機上，對台積電將是乙個巨大的打擊，甚至直接改變晶元代工市場的標準。
結果，台積電不得不在亞利桑那州建廠。
12月29日，台積電正式宣布量產3nm晶元，同時建立新的研發基地，積極開發2nm技術。
台積電的3nm來得姍姍來，及時輸給了三星，但劉德音說：台積電的3nm比三星更靠譜。
早在2024年，台積電就開始了3nm晶元技術的研發，但直到2024年底才成功量產，製程進度遠低於預期。
一方面難以量產，另一方面是成本問題。
3nm工藝的成本是多少？據悉，3nm EUV光掩模層數高達26層，僅3nm工藝的12英吋晶圓**就達到3萬美元，而去年同期為1層690,000 美元增長了 77%，比 7nm 的 9,346 美元增長了兩倍。
7nm晶元的單價是233美元，5nm已經達到了288美元，而3nm呢將達到 300-400 美元。
生產的手機比較貴，恐怕只有蘋果的iphone買得起。
蘋果的處理要求非常高，從富士康晚上加班生產iPhone到以每天400美元的價格留住技術工人。
因此，當台積電將3nmn3製程拿到蘋果檢查時，蘋果直接拒絕了台積電：效能增長太低，我們想用下一代N3E。
綜合來看，這些原因意味著台積電的3nm製程進度低於預期，那麼台積電的3nm製程應該比三星的好嗎？
根據以往的經驗，這是事實，但有業內人士表示：三星和台積電之前的製程都是Finfet製程，台積電自然有優勢，現在三星採用的是GAA技術。
那麼誰更好呢？我們拭目以待！
晶元發展的未來是未知數，但三星已經決定擴大生產，不僅要在先進的產能上趕上台積電，還要在儲存晶元上撼動對手，三星的野心確實不小。
台積電面臨諸多挑戰，台積電看似信心滿滿，但很多人已經開始鄙視台積電，這對美國來說是衰落的開始。
另一方面，在國內晶元企業中，中芯國際代表了最先進的產能，但落後三星4代。 長江儲存是最先進的儲存晶元公司，市場份額與三星相差數十倍。
在"禁止銷售"未來中國晶元將如何發展？