在當今的大資料時代，通過對資料的儲存、挖掘和分析，不僅讓生活更加便捷，還提公升了幸福感。 DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory）是指雙倍資料速率同步動態隨機存取儲存器，通常簡稱DDR。 截至目前，主要有DDRs、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5等版本。 對於DDR SDRAM系統的電源，除了常規的VCC電源外，還需要三組電源：VDDQ、VTT和VREF。 根據拓撲結構的不同，某些設計不需要使用有源 VTT（例如，當控制器具有少量 DDR 時），而在多個驅動器的情況下，VTT 需要大容量來拉電流和灌電流，並且需要 DDR 終端穩壓器。 為此，拓領微推出了DDR終端穩壓器TMI62033，具備DDR-DDR4相容性、3A拉灌電流能力、更快的瞬態響應速度等應用需求，可有效提公升資料傳輸質量同時內建PG和多種保護功能，確保輸出系統更加穩定，適用於工控FPGA、顯示屏（**轉換）等領域。
3A 拉灌電流能力、更好的負載調節和更高的資料傳輸質量
通常，控制器會掛起大量 DDR 顆粒，導致匯流排上產生較大的拉灌電流，因此需要能夠提供大拉灌電流能力的 VTT 電源。 該TMI62033具有3A的負載灌電流能力，負載調節和電壓穩定能力優於競品，有效提高了資料傳輸質量。 以下實測比較：
拉電流和灌電流容量和負載調節的比較圖。
在相同的外設引數下，負載下3A的條件下，TMI62033的電壓變化可以控制在25mV以內。 在相同條件下，負載2A下XXX51200電壓變化在35mV以內。
更快的瞬態響應和更穩定的輸出
作為 DDR 終端穩壓器，其動態特性在資料傳輸過程中也至關重要與競品相比，TMI62033具有更快的動態響應速度，實現更低的動態輸出紋波和更穩定的輸出。以下是測得波形的比較：
測得的動態紋波。
高相容性，內建PG和多重保護功能
該TMI62033支援 DDR SDRAM 應用，如 DDR、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR3L、DDR4 和 LPDDR4晶元內建PGOOD功能，將電源狀態反饋給主控制器同時，內建多種保護功能軟啟動、欠壓鎖定（UVLO）、過流限制（OCL）、熱關斷保護等，進一步提高了系統的安全性和可靠性。
典型應用示意圖。
特徵：
輸入電壓範圍：2375V 至 35v
VLDOIN 電壓範圍：11V 至 35v
Vrefin、Vrefout、Vo 電壓範圍：05V 至 18v
它具有最大 3A 的灌電流和拉電流端接穩壓器。
25mA基準負載能力（refout）。
優化的內部環路補償，可實現更小的動態紋波。
遠端檢測 （VOSNS）。
Refin 允許直接或通過分壓器連線到 VDDQ。
內建軟啟動、PGOOD、欠壓鎖定 （UVLO）、過流限制 （OCL） 和熱關斷保護。
DFN3*3-10封裝。
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