CEO退休，ASMLEUV光刻機陷入絕境

CEO退休，ASML的EUV光刻機陷入了絕望的境地。

眾所周知，光刻機是當前晶元製造工藝中不可缺少的工藝，因此光刻機也是不可或缺的裝置。

光刻機的型別根據生產工藝、光源不同、波長不同而不同，如乾式DUV光刻機，採用193nm的深紫外光源生產130-65nm的晶元;浸沒式光刻機利用193nm深紫外光通過水的折射達到134nm的波長，從而生產出65nm-7nm的晶元。

EUV光刻技術使用5奈米的深紫外光產生135奈米及以下的晶元。

由此可以得出結論，光刻機的精度有待提高，這很大程度上取決於光源的質量;波長越短，精度越高，這意味著過程越小。

但是，有 13採用5nm EUV光刻技術，該光源的光波長不變窄。

隨著波長變短，由於角度調整會造成光損失過大，最終光能不足，無法進行光刻;而要增加光能對抗損耗，就需要增加多個反射器，增加照明系統，而導光板光刻機就是個怪物，成本太大，製造難度大，運輸難度大。

實際上，除了減小光源的波長外，還可以增加數值孔徑，降低光刻工藝係數，提高光刻解像度。

由於光源的波長不能進一步減小，ASML開發了13在5nm EUV光刻之後，短波段光源的研究被放棄，轉而使用數值孔徑或NA。

數值孔徑是指系統可以收集的光量，ASML的光刻機將數值從025 比 033。

ASML下一代EUV光刻機的數值孔徑為055，但 ASML 也表示這將是他們最後的選擇，因為 055以上不會有進一步的發展。

至於ASML的EUV光刻機，採用OPC、多層圖形等高精度光刻技術後，光刻係數已超過025日，ASMLCEO表示，幾乎不可能走得更遠，需要與其他公司聯手，而ASML沒有這個信心。

兩天前，ASML宣布聯席主席Wennink和Van den Brink將於明年4月退休看來這條路就在拐角處。