超結MOS低壓MOS在5G基站電源中的應用 REASUNOS Reasuns Semiconductor

Mondo 科技 更新 2024-01-30

一、引言

5G基站是5G網路的核心裝置,實現有線通訊網路與無線終端之間的無線訊號傳輸,5G基站主要分為巨集基站和小基站。 由於通訊裝置的功耗較高,5G基站採用由電源插座、交直流配電、避雷器、整流模組和監控模組組成的電氣櫃。 因此,顧名思義,5G電源是指5G通訊裝置的專用電源。

5G基站供電,分為兩大主流:目前5G基站供電系統有兩種主流,一是UPS供電系統,二是HVDC供電系統。 5G基站電源的發展趨勢主要朝著解決方案小型化、高頻化、高可靠性和效率提公升的目標發展。

2. 典型應用拓撲

對於MOS電晶體在5G電源中的應用,推薦瑞森半導體的兩個產品系列

在PFC系列和FlyBac**的道路上,我們推薦東方日公升超結MOSFET系列:

它由原來的深溝槽工藝轉變為多層外延工藝,具有低導通電阻、優異的EMI特性、低損耗、高效率、低溫公升等特點。 在高壓下,單位面積的導通電阻可以顯著降低,從而降低導通損耗。 同時,超結MOSFET具有非常低的FOM值,從而產生非常低的開關和驅動能量損耗。

為了滿足電源系統高效小型化的需求,同步整流電路圖推薦使用東方日公升的低壓SGT MOS系列

SGT溝槽遮蔽屏的設計和工藝製造技術具有更高的工藝穩定性和可靠性、更快的開關速度、更小的柵極電荷和更高的應用效率等優點。

三、推薦產品選型

對於5G電路圖的PFC線和FlyBAC**路,我們推薦東方日公升的Superjunction MOSFET系列。

為了滿足電源系統高效小型化的需求,同步整流線推薦瑞森半導體的低壓SGT MOS系列。

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