儲存器產品對儲存器控制晶元的依賴性越來越強

由於裝置特性等因素的影響，記憶顆粒的可靠性隨著使用時間的增加而逐漸降低。 儲存器控制晶元作為儲存器產品中不可或缺的一部分，可以實現儲存顆粒的均衡利用，有效延長儲存顆粒的使用壽命，提高儲存顆粒的資料儲存效能。 因此，儲存控制晶元企業與儲存晶元廠、儲存模組廠的緊密合作，可以加快新顆粒、新記憶體產品的上市時間。

由於NAND快閃記憶體工藝、堆疊層、架構的快速公升級，NAND快閃記憶體技術難度越來越大，儲存密度越來越大，這大大增加了儲存顆粒中資料錯誤或資料丟失的概率，使用壽命也迅速下降。 雖然TLC架構的單位容量是SLC架構儲存顆粒的3倍，但其使用壽命（即擦除次數）僅為SLC的1 20，可靠性也有所降低，資料糾錯要求（ECC）從1 4位增加到72位。

NAND Flash的技術發展特點決定了儲存器在儲存粒子應用中對儲存器控制晶元的要求越來越高，依賴性越來越強，這對儲存控制技術和儲存器控制晶元設計能力提出了更高的要求。

儲存晶元廠需要與儲存控制晶元公司達成深度合作，邀請儲存控制晶元公司更早、更深入地參與新型儲存晶元的協議標準和功能定義的制定，探索相應儲存控制技術和應用落地的可行性，反饋樣品測試結果並提出分析和優化建議， 並盡快開發形成配套的儲存器控制晶元設計方案、韌體演算法、量產工具等，從而高效實現新型儲存晶元的商業化應用。