美光1 DRAM晶元HBM將於2024年上半年量產

隨著人工智慧、大資料等技術的不斷普及，行業對DRAM晶元的要求不斷提高。 為了提高效能和容量，記憶體製造商將目標鎖定在先進的工藝技術上。

美光日本負責人Joshua Lee在2024年日本半導體展上表示，美光位於日本廣島的工廠將在2024年生產最先進的儲存晶元“1（gamma）DRAM”。 他表示，美光將成為第一家將EUV光刻機引入日本的半導體公司。 預計將使用EUV光刻機製造1個DRAM裝置。 此外，美光還計畫在廣島工廠生產用於生成式人工智慧的HBM。

日本經濟產業省10月宣布，將對美光在日本的廣島工廠提供高達1920億日元的補貼。 美光宣布，未來幾年將在日本投資高達5000億日元，包括廣島工廠。

此前，美光還透露，1和1 DRAM和層NAND快閃記憶體佔據了主要的位出貨量，而美光首次採用極紫外工藝技術的1 DRAM進展順利，預計2024年量產。 下一代NAND快閃記憶體也進展順利。

其他記憶體廠商方面，SK海力士於今年5月30日宣布，已完成現有DRAM中最小的第五代10nm級（1B）技術的研發，並將把該技術應用於DDR5伺服器DRAM到英特爾的“英特爾資料中心記憶體認證計畫”。 該公司表示，明年上半年將擴大1B工藝，應用於LPDDR5T、HBM3E等高效能產品。