在最近的IEEE國際電子元件會議(IEDM)小組研討會上,台積電透露了其14nm工藝技術如火如荼。 這項新技術將正式命名為A14,預計將在2024年至2024年之間投入量產。
據外媒報道,會上並未透露A14製程技術的具體引數和量產時間,但考慮到2nm製程技術計畫於2024年開始量產,N2P製程技術計畫於2024年底量產,預計A14製程技術的上市時間較為合理, 設定在 2027 年和 2028 年。
在技術方面,A14工藝技術很可能不會使用垂直堆疊互補場效應電晶體(CFET)技術,而是依靠台積電的第二代或第三代環繞柵場效應電晶體(GAAFET)技術,該技術類似於N2工藝技術。 然而,為了真正發揮其效能,在效能和功率水平上實現新的突破,A14和N2工藝技術都需要在系統層面進行優化。
此外,關於A14工藝技術是否採用High-NA EUV光刻技術,目前尚無明確資訊。 考慮到英特爾計畫採用High-NA EUV**技術,台積電將更容易使用這些機器。 然而,將High-NA EUV**技術的尺寸減半可能會帶來新的挑戰和要求,對晶元設計人員和製造商提出了更高的要求。
需要注意的是,儘管A14工藝技術的細節仍有待披露,但台積電的工程師和開發人員已經完全致力於下一代工藝節點的開發。 隨著技術的不斷進步,這款新的 14nm製程A14的推出,將為半導體產業帶來新的可能性,也將是台積電在技術創新上邁出的重要一步。
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