任正非讚嘆“華為的晶元燈”！中國“晶元奇才”榮獲全球大獎
在此之前，在過去的幾十年裡，我相信"出國留學"這個概念對很多人來說都是乙個非常好的體驗，回國留學的人被稱為"海歸"跟"成功人士"。他們被稱為"海歸"跟"成功人士"。
所以，當時很多豪門都願意送孩子出國留學，但實際上，"出國"不是能力的象徵，前段時間有乙個中國人"晶元天才"，用自己的成就打破了人們固有的思維觀念。
這"晶元天才"它來自北京大學，受到華為創始人任正非的稱讚"華為晶元之光"黃芊芊，但這位才華橫溢的女人的成長經歷，卻與出國無關。
黃倩倩，2024年出生，江西上饒人，憑藉自身努力考入北京大學微電子專業研究生，隨後於2024年獲得理學博士學位，2024年正式成為北京大學博士生導師。
在黃倩倩的成長經歷中，甚至沒有絲毫的"出國留學"這個鍍金概念的運作，但簡歷還是很吸引人的，印證了這句話："誰說只有出國多讀書才能成功？"
事實上，很多國外公司、科研院所、科研院所都邀請她參加他們的專案，但作為乙個中國女性，她拒絕了所有的邀請，留在了北大參加"超低功耗微納電子器件"研究。
然而，這些成就對於專注於中國技術發展的黃仁勳來說幾乎無關緊要。 謠言"晶元女神"他從未結過婚，致力於科研專案。
雖然"晶元女孩"本來就拿過國家級獎項，但直到2024年，黃倩倩才終於通過獲得全球獎項，開始了人生的第乙個高光時刻。
她因在北京大學超低功耗奈米電子器件研究方面的重大貢獻而獲得IEEE電子器件學會全球青年成就獎。 ieeeelectrondevicessocietyearlycareeraward）。
2024年，該獎項的獲獎者只有三位，黃向前是其中之一。 在30歲時，與其他中年研究人員相比，他表現出了極大的天賦和能力。
黃倩倩的成就在世界上名列前茅，她的履歷與海外留學生相差甚遠。
黃倩倩還參與了華為於2024年4月5日宣布的研發專案"晶元堆疊封裝和終端器件"專利方面，黃倩倩被認為是華為研發突破的核心人物。
作為華為的創始人，任正非也有著非常高的評價，參與晶元堆疊技術的研發，也在一定程度上緩解了華為的存在感"缺少核心"燃燒情況的狀態。
據介紹，晶元堆疊技術可以實現將兩個14nm工藝晶元合成成乙個7nm工藝晶元，使我國半導體逐步從事先進工藝晶元，無需在合成過程中涉及光刻機。
眾所周知，中國半導體領域目前具備條件支援更先進的14nm晶圓工藝量產，只要符合晶圓堆疊技術標準即可。
同時，這也意味著，或許正如一些科技博主所認為的那樣，華為可以通過晶元堆疊技術實現先進工藝晶元的自主生產，但這也意味著美國對華為的限制少了一條手段。
最終。 相較於眾多清華大學優秀學生赴美發展，中國大家選擇黃倩倩為我國所有優秀學生樹立榜樣，希望更多優秀半導體學生留在國內企業，為中國半導體產業發展貢獻乙份力量。
只有這樣的結果，才能使我們的祖國更加強大，擺脫美國的霸權，實現真正意義上的自給自足。