中文名稱：-GA2O3薄膜。
純度：999%
儲存：-20冷藏，密封嚴密，避光。
儲存時間：1年。
用途：僅用於科學研究，不用於人體。
Ga2O3薄膜是一種重要的半導體材料，具有寬禁帶、高擊穿場強和優異的光電效能等特點，在高溫、高輻射、高頻等極端環境下具有廣泛的應用前景。 隨著科學技術的不斷發展，-Ga2O3薄膜在光電、電子和能源領域的應用越來越廣泛。
在光電子領域，-Ga2O3薄膜因其優異的光電效能而備受關注。 它可以有效地吸收和轉換光能，因此在太陽能電池、光電探測器和發光二極體中具有廣泛的應用。 通過進一步優化-Ga2O3薄膜的製備工藝和效能，可以提高這些器件的效能和穩定性，從而促進光電產業的不斷發展。
產品：立方氮化硼（C-BN）薄膜。
V摻雜ZNO薄膜（ZNO：V）。
Zno Bi2O3雙層薄膜。
V2O5摻雜ZNO陶瓷多層膜（ZNO-V2O5）。
哈氏合金C-276（鎳鉻鉬固溶合金）薄膜。
上述產品僅用於科學研究，不能用於人類或其他目的。