2023年是儲存晶元行業的低谷年，由於需求低迷和供過於求，所有廠商的庫存仍然居高不下。為了增加銷量，廠商不得不減價，甚至降價50%。 這種現象在DRAM記憶體和NAND快閃記憶體市場尤為明顯，消費者可以以更低的價格購買1TB的SSD驅動器**。 三星、SK海力士和美光三巨頭都遭受了巨大的損失，據統計，這三家廠商在2023年的儲存晶元業務上虧損超過1500億元。 雖然儲存晶元行業一直受到晶元週期的影響，但如果沒有國內儲存晶元廠商的競爭和進步，降價現象不可能如此嚴重。 因此，國內儲存晶元廠商在這一行業的發展成為備受關注的話題。
在國內儲存晶元行業，最具影響力的廠商有三家，分別是長江儲存、長鑫儲存和福建金華。 其中，長江儲存主要專注於NAND快閃記憶體，長鑫儲存專注於DRAM儲存，福建金華也參與了DRAM儲存的研發。 然而，由於美光的原因，福建金華陷入了停滯狀態，並沒有取得太大的進展，只有長江倉儲和長鑫倉儲一直在不斷努力突破。
長江儲存發明了“晶棧”技術，並陸續推出64層、128層、232層3dand快閃記憶體，使其與三星、美光等國際巨頭站在同一條起跑線上，甚至超越了三星等廠商，成為全球首家量產232層3DNAND快閃記憶體的廠商。 然而，由於美國的打壓，長江儲存的232層快閃記憶體生產線一直受到限制，只能生產少量的232層快閃記憶體，主要生產128層技術。 近日，有報道稱，長江儲存可能已經推出了新的120層技術，雖然真相尚不得而知，但這意味著他們已經取得了新的突破。 目前，長江儲存在全球的市場份額約為5%，其產能約佔全球總量的6%。 然而，他們繼續擴大產能，並計畫在未來達到其全球產能的15-20%。
同時，長鑫儲存在DDR記憶體方面成功推出DDR5記憶體，並達到了頂層。 不過，在工藝方面，長鑫儲存仍落後於三星、SK海力士等廠商。 三星等廠商的實際工藝已經達到了14奈米左右，而長鑫儲存一直採用21奈米和19奈米工藝。 此外，美國還對中國的DRAM記憶體實施了禁令，禁止出口18奈米及以下的裝置和技術。 不過，近日有報道稱，長鑫倉儲已開始量產18採用5nm工藝的DRAM晶元每月產量高達100,000片晶圓。 同時，長鑫倉儲已啟動二期建設，計畫於2024年底完工，產能有望達到每月1.40,000片晶圓，佔全球DRAM總產能的10%。
總的來說，國內儲存晶元廠商雖然受到降價的打擊，但一直在努力突破技術，提高產能，競爭力逐漸增強。 這也是國內儲存晶元廠商在2023年不得不大幅降價的原因，因為競爭對手很多，而中國廠商有成本優勢。 希望未來國內儲存晶元廠商能夠不斷突破，提高產能和市場占有率，讓消費者真正享受到這些產品帶來的好處。
儲存晶元行業的低谷對國內儲存晶元廠商來說確實是乙個巨大的打擊，但他們並沒有放棄，仍在尋求突破和進步。 長江儲存製造了世界上第乙個量產的232層3DNAND快閃記憶體，但受到美國的限制。 然而，他們繼續擴大產能，並繼續引入新的技術突破。 長鑫儲存在DDR記憶體方面取得了長足的進步，雖然工藝落後於國際廠商，但已經開始生產185nm製程DRAM晶元，並計畫在未來進一步擴大產能。
我個人認為，國內儲存晶元廠商在面對困難時的堅持和努力是令人欽佩的。 隨著技術的不斷突破和產能的提高，有望進一步擴大市場份額，提高國產儲存晶元的競爭力。 同時，也要加大支援力度，為國內儲存晶元行業提供更好的政策環境和市場機會。 相信在國內企業和企業的共同努力下，我國儲存晶元產業未來將取得更大的發展，為國家的科技進步和經濟發展做出更大的貢獻。