三星電子推出業界最高容量的HBM3E 12H高頻寬儲存晶元

南韓晶元巨頭三星電子宣布成功開發出一種創新的高頻寬儲存晶元，據說該晶元具有迄今為止最高的容量。 HBM3E 12H 的效能和容量提高了 50% 以上，非常適合滿足日益增長的 AI 服務需求。

三星電子記憶體產品規劃執行副總裁Yongcheol Bae表示：“我們的新產品HBM3E 12H旨在滿足AI服務提供商對更高容量HBM日益增長的需求。 這是我們在高堆疊 HBM 核心技術中對 AI 時代的技術先進貢獻的一部分。 ”

該公司強調，這種新的記憶體解決方案是滿足人工智慧時代高容量HBM市場需求的努力的一部分，展示了其在技術創新方面的領導地位。

三星電子是全球最大的DRAM晶元製造商，DRAM晶元廣泛應用於智慧型手機和電腦等消費類裝置。 在人工智慧領域，OpenAI 的 ChatGPT 等生成式 AI 模型對高效能記憶體晶元的需求更加迫切，這些晶元可以更靈活地處理大量對話和使用者偏好資料，以生成更人性化的響應。

隨著AI應用的爆炸式增長，HBM3E 12H等高效能儲存晶元有望成為未來需要更大記憶體的系統的首選解決方案。 其卓越的效能和容量使客戶能夠更靈活地管理資源，同時降低資料中心的總擁有成本。

三星表示，已開始向客戶提供晶元樣品，並計畫在2024年上半年實現HBM3E 12H的量產。 分析師表示，預計這將大大提高三星的盈利能力。 大和執行董事SK Kim告訴CNBC：“我認為這一訊息將對三星的股價產生積極影響。 ”

在人工智慧行業，晶元設計公司英偉達（Nvidia）在第四財季的收入增長了265%，原因是對其圖形處理單元的需求激增。 英偉達首席執行官黃仁勳表示，隨著AI應用的指數級增長，HBM3E 12H有望成為未來需要更多記憶體的系統的最佳解決方案。