GQOC大尺寸模型晶元超級GPU引發熱議，一體化儲存計算解決方案備受關注

【天豐電子潘寅團隊】。

目前，各大技術廠商對算力晶元效能和價格的考量變得尤為重要，使用通用算力以外的算力晶元是當務之急。

供應商重新設計了架構並定義了計算核心，以實現更好的價效比。

單個計算核心可能存在較大差異，並且不遵循傳統的馮·諾依曼架構體系（即儲存資料需要經過控制單元後進行計算），因此引入了儲存和計算一體化的概念，從而打破了記憶體壁壘。

目前，儲存和計算的整合可以根據儲存型別的不同分為SRAM-BASE; eflash(nor)-base;epram-base;mRAM-BASE中。

按計算和儲存的位置分為近記憶體陣列計算; non-local computing；in-array local computing；in-cell local computing；不同的計算位置對儲存單元的內部電路有非常不同的設計; 目前，由於SRAM可以整合到CMOS工藝中，因此領先的算力公司都使用SRAM-BASE，包括Dojo、GQOC、IBM等。

由於目前工藝節點為55nm，eflash與目前主流算力節點不匹配，目前產品成熟度相對較低。

但eFlash在結構和電路設計上更簡單，一旦工藝進一步突破，有望在未來實現進一步發展; 目前，PRAM和MRAM的主要問題也來自工藝。

我們認為，在未來的大模型時代，資料處理和計算將成為核心，儲存和計算之間的直接連線是必然趨勢（即不通過控制單元）。

我們看好儲存與計算的融合發展，建議關注國內相關概念企業：

SRAM-BASE公司：北京君正、成都華為、復旦微電子、紫光國威;

Eflash基地企業：恆碩股份有限公司、兆易創新;

計算公司：寒武紀;

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