ASML推出High NA EUV光刻機，揭開2nm技術的神秘面紗

近日，荷蘭光刻機巨頭ASML首次展示了最新一代高數值孔徑EUV光刻機，該光刻機被認為是世界上最先進的光刻技術，可以製造2奈米以下的晶元。 High NA EUV 光刻機的龐大規模令人印象深刻，其完整系統只有雙層巴士大小，重達 150 噸，組裝需要 250 名工程師和六個月的時間。

據悉，這款新一代光刻機的價格高達35億歐元（約合人民幣27億元）將成為全球三大晶圓廠實現2nm以下先進工藝規模化量產的必要裝置。 據悉，英特爾在去年12月率先獲得全球首款高數值孔徑EUV光刻機，而台積電和三星的訂單最早將於2026年交付。

然而，這種高效能光刻機是目前EUV光刻機的兩倍，導致裝置成本大幅增加。 這也成為國內廠商對引進高數值孔徑EUV光刻機持謹慎態度的原因之一。 雖然這項技術將推動晶元製造向先進的亞2奈米工藝發展，但其高昂的成本也使公司倍感沉重。

ASML首席執行官Peter Wennink表示，AI的海量計算和資料儲存需求將推動光刻技術的發展，ASML也收到了創紀錄的EUV裝置訂單。 然而，這項技術的普及還需要時間，2nm以下的晶元製造需要考慮技術成熟度、成本效益和客戶需求。

不同的製造商對高數值孔徑EUV光刻機的推出有不同的步伐。 英特爾已於 2023 年 12 月安裝了全球首款高數值孔徑 EUV 光刻機，而台積電和三星則採取了相對保守的方法，預計最早將於 2026 年推出。 業內人士認為，高數值孔徑EUV光刻機將在2026-2027年迎來拐點，有望成為亞2nm工藝的主流裝置。

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