為加速海外市場拓展，三安半導體亮相NEPCON JAPAN

長沙2024年1月31日 /美通社/ -- 1月24日至26日，第38屆日本國際電子展NEPCON JAPAN 2024在東京國際展覽中心舉行。 三安半導體攜8英吋碳化矽晶體、襯底、外延、車規級碳化矽二極體、MOSFET產品、多場景應用解決方案亮相此次亞洲領先的電子研發製造展，為全球客戶帶來關鍵合作機遇。

Sanan Semiconductor參加NEPCON JAPAN

NEPCON JAPAN是代表"亞洲電子產業"的綜合展覽，作為理解"未來的電子行業"該展會吸引了來自全球24個國家的1,650家參展商和85,000名專業觀眾。 展會期間，三安半導體憑藉自主研發的綜合產品展示贏得了眾多行業精英的關注和讚賞。 三安半導體營銷和技術團隊接待了所有嘉賓，對公司自主研發的產品進行了詳細的解答和深入交流，進一步拓寬了三安半導體在全球電力電子和功率半導體領域的客戶資源，提高了公司的知名度。

三安半導體的碳化矽系列產品主要用於工業級和汽車級應用。 目前，中投SBD已推出G3、G4、G5系列產品，對標國際一線企業，已廣泛應用於光伏逆變器、充電樁、電源、新能源汽車等高可靠性領域，並已批量出貨，累計出貨量超2億; 在SIC MOSFET方面，已推出面向新能源汽車主傳動的1200V 16M車規級產品，目前正在與多家戰略客戶進行模組驗證，同時還推出了1700V 1和1200V 32M 75M SiC MOSFET，已在重點客戶批量推出。

未來，三安半導體將繼續以客戶為中心，以客戶需求為中心，以技術創新推動產品迭代，以產品迭代賦能可持續發展，全面提公升產製造能力，持續為全球客戶提供優質的產品和解決方案，進一步拓展海外市場，為中國企業貢獻世界。