三星開發了一種新的記憶體技術 LLW DRAM，該技術具有超高頻寬、低延遲和低功耗

IT Home 1 月 10 日報道，三星近日透露，正在積極開發一種新型記憶體，名為 LLW DRAM，意為低延遲寬 I O（Low Latency Wide I O） DRAM。 據說這種記憶體提供了超高頻寬、低延遲和超低功耗的完美結合。 據三星稱，LLW DRAM特別適用於需要在裝置上執行大型語言模型（LLM）的裝置，但其廣泛的效能優勢也適用於廣泛的客戶端工作負載。

LLW DRAM 是一種低功耗儲存器，具有寬 I-O 和低延遲並具有高達 128 GB 的頻寬（大概是每個模組或堆疊）。 相比之下，128 位 DDR5-8000 記憶體子系統可以提供類似的 128 Gbs 頻寬。 同時，LLW DRAM的另乙個重要特點是它的12PJ位的超低功耗，但三星沒有透露其LLW DRAM達到該功耗時的具體資料傳輸速率。

目前，三星尚未透露有關LLW DRAM的很多細節，但該公司此前曾致力於探索GDDR6W等寬介面記憶體技術。 據推測，LLW DRAM可能借鑑了GDDR6W的技術，並使用扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術將多個DRAM器件整合到單個封裝中，以擴充套件介面，同時保持容量、效能和低功耗。

考慮到三星在 2022 年第二季度標準化了 GDDR6W，並計畫將其用於人工智慧、高效能計算加速器和客戶端 PC，LLW DRAM 可能會定位於其他領域。 考慮到該標準的低功耗，它可以應用於具有AI能力的邊緣計算裝置、智慧型手機、膝上型電腦，甚至汽車。

IT Home指出，三星很少透露其新技術何時可用，但從其推出技術的預期效能來看，其研發過程應該接近尾聲。