一年一度的國際固態電路會議（ISSCC）是了解快閃記憶體技術發展的視窗。 今年的ISSCC會議將於下個月在三藩市舉行，已經公開的會議時間表將讓您先睹為快，了解快閃記憶體製造商將宣布的一些新產品和技術。
三星將在 ISSCC 上推出 280 層堆疊 3D QLC 快閃記憶體。 它的亮點是每平方公釐 28 個5GB的超高儲存密度。 近年來，快閃記憶體的單晶元容量基本在1TB級別，通過減少晶元面積提高了儲存密度並降低了製造成本。 在當前的快閃記憶體生產中，Genic Ti600中使用的3D QLC快閃記憶體的測量值為20 mm²62GB（每平方公釐 19 個）8GB） 儲存密度。
三星還提到了 3,200 噸的 IO 速度，超過了三星在 2022 年宣布的 2,400 S 的 V9 QLC 目標。 與SSD相對應，配備3200MT S快閃記憶體的4通道主控制器有望實現10GB的順序讀取能力。 也就是說，目前許多 8 通道旗艦 PCIe 50 SSD所能達到的速度，未來主流甚至入門級4通道SSD有望實現。
雖然QLC被認為是NAND快閃記憶體的未來，但TLC仍將是高效能快閃記憶體的首選。 美光將在下個月的ISSCC上推出2YY層堆疊3D TLC快閃記憶體，單晶元容量為1TB，但寫入頻寬已增加到300MB s。
目前，美光已經推出了232層堆疊3D TLC快閃記憶體，IO速度從1600MT S和2000MT S增長到目前的2400MT S。 2yy（未指定具體的層數，應大於 232 層）層 3D TLC 快閃記憶體將重點放在寫入頻寬上。 300MB S的數字可能並不直觀，美光也沒有透露232層3D TLC的寫入頻寬，但鎧俠BICS6的資料可以作為對比：160MB S。
從ISSC多年來公布的資料來看，並不是每一種產品最終都會按原樣量產。 然而，儲存密度、IO介面、寫入速度的提高無疑是未來快閃記憶體技術發展的趨勢。