台積電開始生產2nm晶元，採用GAAFET技術，摒棄了舊的FinFET！
在晶圓製造過程中，“線寬”是乙個重要的衡量標準。
線寬是多少？ 它是最小的線腐蝕寬度，線越細，單位面積可以蝕刻的晶圓越多，效率越高。
然而，線寬不是無窮無盡的，為了讓一條線繼續工作，它必須保持數百個原子的寬度。
在 28 nm 以上，線寬變化不大。 28奈米工藝幾乎是物理蝕刻的終極工藝。
但為什麼經過28奈米、22奈米、14奈米、7奈米、5奈米、3奈米，這些都是等效的技術，通過優化晶元的結構和結構，達到與xxnm晶元相同的能效。
隨著摩爾定律的進步，半導體工藝不能再僅僅用“寬度”來衡量，而只能依靠其他工藝。
例如，在 14 nm 之前，每個人都使用平面 FET，但在 14 nm 之後，三星開始開發 FinFET，這也是一種新的架構。
但是，FinFET晶元最多只能支援幾代，5nm以上的晶元有點過時，需要更新。
在3nm之後，三星開始採用Gaafet，取代了傳統的FinFET，這也是一項新技術。
三星原本以為在3奈米工藝上，可以用更高的AAFET技術趕上台積電，但最終還是失敗了，台積電在技術和市場份額上都遠遠落後。
不久前，台積電宣布其2nm晶元製造基地已開工建設，預計明年4月投產，之後P2和高雄的2nm晶圓廠將在2025年投入2nm工藝。
台積電也效仿三星，放棄了傳統的FinFET工藝，轉而採用Gaafet的工藝。
與FinFET工藝相比，GaAFET工藝具有更高的架構和更小的臨界電壓，因此具有更高的效率、更低的功耗和更好的能耗。
除此之外，英特爾還宣布他們將在 2024 年開始生產 20 A（即 2 奈米），並將放棄 FinFET，轉而使用 Gaafet、RibbonFET 和 Powervia。
可以預料，在2nm工藝之後，龍與新一代半導體晶元之間將出現一場大戰，這將是一次巨大的飛躍。