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隨著中美緊張局勢的公升級,美國以限制中國獲得先進晶元裝置為核心戰略,並採取了前所未有的打壓中國的方式。 美國和荷蘭光刻機巨頭阿斯麥(ASML)甚至在美國對華出口禁令生效之前就單方面取消了對中國的部分訂單。 此舉進一步拉大了中美兩國在晶元製造領域的技術差距。 不僅如此,美國開始將目光投向能夠生產成熟工藝的光刻機,試圖通過單邊制裁進一步削弱中國在晶元領域的優勢。 然而,美國的這一舉動勢必是有代價的。 在中國對稀有金屬鎵和鍺實施出口管制後,美國幾乎失去了兩種關鍵材料。 資料顯示,2013年7月之後,中國對美國的鎵、鍺出口已完全停止。 此舉不僅對美國有影響,也影響了日本等晶元強國。 中國對日本的稀有金屬鎵出口下降了四分之三,鍺的出口下降了約三分之一。 這使得我國稀有金屬鎵整體出口額同比下降三分之二。 這一系列的舉動表明,中美兩國在晶元領域的競爭越來越激烈,彼此之間的攻防手段也越來越複雜。
在面臨美國購置光刻裝置限制的同時,我國在國產光刻機的技術研究方面也取得了重要進展。 由廣東生物島實驗室牽頭的團隊研發製造的國內第一台場發射透射電子顯微鏡的發布,標誌著我國已全面掌握透射電子顯微鏡場發射電子槍等核心技術,具備了量產透射電子顯微鏡產品的實力。 這一成就的意義不僅在於打破了長期依賴進口的桎梏,而且切實促進了我國在材料科學、生命科學、半導體產業等領域的高質量發展。 面對西方的打壓和封鎖,中國自主研發成為實現技術突破的關鍵路徑。 然而,對於中國來說,自主研發只能築起一條“護城河”,具有明顯的“防禦性”。 針對美國等國咄咄逼人的姿態,中國還需要及時發動“攻勢”,通過限制原材料出口予以反擊。 這無疑是最有效的手段。 不難預見,美國接下來將利用霸權詆毀中國的反制措施,將其視為對全球半導體產業的破壞,並試圖繞道從其他國家進口稀有金屬鎵和鍺。 中美之間的攻防焦點將是誰能更快地“破招”。 在這一點上,中國需要對自己有足夠的信心。 相比之下,三星、台積電等企業在美國建廠的計畫中遇到了不同程度的挑戰,美國一直在考慮的半導體回流計畫幾乎失敗了。 與此形成鮮明對比的是,中國在自主研發方面仍在穩步推進。 隨著時間的流逝,這場圍繞晶元的大國博弈最終將以中國的勝利告終。
結論:面對美國的限制和打壓,中國通過自主研發和限制原材料出口,努力確保晶元產業的發展。 儘管困難重重,中國對技術突破充滿信心。 相信隨著時間的流逝,中國必將在晶元領域大獲全勝,成為全球半導體產業的重要力量。 同時,我們也要深刻認識到,自主創新和技術進步不僅是中國的需要,也是全球科技發展的需要。 只有通過合作與交流,才能共同推動技術進步和創新,才能實現雙贏、共同發展。
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