美國向台積電和三星施壓，但被中國加速超越
據分析，到2023年，中國在全球晶元製造能力中的份額將達到24%，而美國的份額將下降到11%。 美國近年來撥出500億元人民幣吸引台積電和三星在美國建廠，但這並沒有改變美國在晶元製造業的衰落。
早期，美國逐漸意識到晶元產能的轉移會對美國晶元的發展產生負面影響，因此美國宣布啟動價值超過500億元的晶元補貼計畫，鼓勵英特爾、美光等公司在美國擴大晶元工廠， 並向台積電和三星施壓，要求其同意在美國設廠。三星同意在美國設立工廠。
然而，台積電和三星在美國設廠後，卻發現美國承諾的差旅費和鉅額晶元補貼，最終只給了台積電10%和三星13%的份額，相當於他們去美國之前的10%投資，然後美國又給了這些不願意接受這部分晶元補貼的晶元製造企業更多的晶元補貼。
與此同時，台積電和三星去美國建廠，發現美國晶元生產成本沒有增加50%，隨後台積電去美國建廠，產業鏈人士指出，美國的晶元產量可能是台灣的三倍， 而台積電無線電半導體製造公司也無法吸引台灣最優秀的晶元生產技術人才。
台積電和三星的衝突自然也影響了美國晶元廠商：英特爾4最先進的工廠建在愛爾蘭而不是美國，這推遲了美國晶元產能的恢復，結果美國在全球晶元生產中的份額持續下降。
與美國不同，中國幾年前就決定積極發展晶元製造業。 由於美國阻止ASML等先進晶元裝置廠商向中國提供先進晶元裝置，中國決定先開發成熟的工藝，於是成立了幾十家晶元工廠。
2016年，中國晶元製造能力超過美國，到2020年，中國晶元製造能力將達到全球市場份額的16%，而美國的份額將下降到12%，這表明中國晶元製造能力的強勁擴張正在產生影響。
同時，隨著晶元製造能力的快速擴張，我國的晶元設計產業也在蓬勃發展，儲存晶元、模擬晶元、射頻晶元等行業已經填補了國內空白，這些晶元的製造工藝可以超過10奈米，我國對大規模生產工藝的要求，可以進一步支撐我國晶元產能的擴張來滿足。
去年下半年以來，中國晶元企業紛紛開出極具競爭力的代工廠**，迫使三星、台積電、EGing等降價，這將對全球晶元產業產生重大影響，這從中國晶元產業的大規模擴張中可見一斑。
美國已經撥款500多億元擴大晶元產能，同時提高技術水平，但現在看來，目標已經沒有實現，晶元產能落後於中國，先進技術水平仍然趕不上台積電和三星，美國的晶元非常沒有吸引力， 中國晶元在現有裝置上實現了快速發展，同時凸顯了美國晶元產業正變得越來越不進取。