廣東又回到南田了！ 面對如此潮濕的南方，MOSFET不禁要問：我身上的靜電從何而來？
北方氣候相對乾燥，南方濕度較小，不易產生靜電（見下圖）。
然而，這並不意味著MOSFET不會是靜態的！ 那麼，這種靜電從何而來呢？
靜電放電：這是大多數器件和IC設計和製造中的頭號問題。
靜電放電（ESD）一般是人為產生的，靜電會在生產、組裝、測試、儲存和搬運過程中在人體、儀器或裝置中積聚，但部件本身也會積聚靜電。
產生靜電的方式通常有四種：人體放電（HBM）、機器放電（mm）、元件充電（CDM）和電場感測（FIM），兩種主要的測試模式通常是人體放電（HBM）和機器放電。
HBM： HBM 的行業 ESD 標準（MIL-STD-883C 方法 3015）。7、等效人體電容為100pf，等效人體電阻為15kohm)
mm：機器運動產生的靜電在接觸晶元時由引腳釋放，ESD標準eia/jesd22-a115-a），等效機器電阻為0（金屬，放電時間短，在ms或us之間），電容為100pf]。
由於等效電阻為0，因此電流非常高，此外，機器本身的導線之間有很多耦合，可能會干擾和變化。
CDM：裝置帶靜電，當與接地導體接觸時放電。
在相同的靜電電壓等級下，器件損壞程度：mm、cdm hbm、常用hbm、mm在產品規格中，電子器件的標準是HBM觸點2kV。
收到上面的陳述後，你知道為什麼MOS管要防靜電嗎？
眾所周知，MOS管是一種ESD敏感器件，具有高輸入阻抗和G-S之間的小電容，容易受到外部電磁場或靜電感應的影響。
MOSFET的靜電擊穿有兩種模式：
電壓型：G極的薄氧化層分解形成針孔，縮短了G-S極和G-D;
電源型別：金屬化薄膜鋁帶熔斷，導致 G 和 S 極開路。
絕大多數MOSFET很少暴露在易受ESD影響的環境中，但在某些應用中，MOSFET會在GS之間增加ESD保護器，以提高其ESD保護能力。
然而，現在大多數MOSFET都不是那麼容易擊穿的，尤其是大功率VMOS，它們通常受到二極體保護，並且具有較大的柵極電容以感應高電壓。 一些CMOS器件增加了IO埠保護，但不要用手直接接觸CMOS器件的引腳，這樣會導致可焊性差。
靜電放電
形成的是短期大電流，放電脈衝的時間常數一般遠小於器件散熱的時間常數。
當靜電放電電流流過PN結時，會產生較大的瞬時功率密度，並形成區域性過熱，甚至超過材料本身的溫度（矽的熔點為1410），這將導致PN結短路並使器件失效。
功率密度越低，裝置越不容易損壞。
與其他器件相比，MOS電晶體的ESD靈敏度略高。 然而，ESD是隨機的，即使產生了ESD，也不一定會擊穿MOS管。
溶液
貯存運輸時，最好用金屬容器或導電材料包裝，避免化纖物品;
裝配除錯時，工具、儀器、工作台應接地良好，操作人員應避免穿尼龍、化纖服造成靜電干擾;
MOS電晶體由電壓驅動，懸浮的G極易受到外界干擾而使MOS導通，外部干擾訊號對G-S結電容進行充電。 G懸架非常危險，很容易引起管道爆裂。 讓G極接乙個下拉電阻接地，外界干擾訊號不會直通，一般這個柵極電阻可以是10-20K。
這個柵極電阻的作用之前也提到過：
偏置電壓提供給 MOS。
它起著洩放電阻器的作用。
這就是本期的全部內容，謝謝**
微生物 vbsemi