EAK矽金屬電阻器與陶瓷復合電阻器相似，因為它們在脈衝負載方面具有優勢，並且需要高峰值功率或高電壓與低電感（如預充電電路）的組合。 矽金屬電阻器具有更高的連續額定溫度，為 350°C，而陶瓷電阻器為 250°C。 這種擴充套件的溫度範圍使其適用於需要預充電電阻器的 EV 預充電電路和浪湧限制應用。 結構簡單，由分散在整個元件體中的矽和金屬導電顆粒、體末端的金屬觸點以及用於高壓電阻器應用的防偏移塗層組成。 電阻式矽金屬元件使用適用於高能電阻器應用的體電阻率的特定材料混合物製造。
在組合物混合物中選擇合適的材料電阻率在幾個選項之間變化，以便控制和定製高效能電阻器的效能，以適應高壓電阻器高能電阻器應用。 混合後，將材料造粒並壓制成所需的特定形狀。 這導致了乙個高溫和導電的塊狀矽金屬線性電阻器。 為了形成電觸點，將鋁、銅或黃銅火焰噴塗到 EAK 高能電阻器的平面上。 在焊接連線到金屬化層的情況下，進一步新增 SN、ZN、PD、CU、AG、ZR 和 CO 可產生導電且機械高度可靠的金屬表面。 對於高能電阻盤或高壓電阻棒和管，邊緣塗有抗偏移塗層，以提高介電電阻。 各種幾何形狀和電阻率範圍可以處理從數百焦耳到兆焦耳的能量。 這些無感功率電阻器（陶瓷電阻器）堅固耐用，具有恆定的機械強度、良好的壓縮規格以及只要避免直接衝擊即可吸收傳遞的機械衝擊的能力。
矽金屬電阻器非常適合需要無感電阻器在高電壓下工作以在高溫下提供高能量吸收的應用（例如預充電電路電阻器中的電阻器）。 與薄膜或繞線電阻器相比，電阻元件僅佔元件總質量的一小部分，矽金屬電阻器的主要結構將大部分元件質量集中到電阻元件中，允許高能事件均勻分布在整個材料質量中，類似於碳分量電阻器或陶瓷電阻器（陶瓷復合電阻器）， 沒有薄膜或電線會失效的地方。這使得能夠在脈衝或浪湧易受負載影響下實現高峰值功率和高可靠性。 由於活性材料的100%是導電的，因此可以生產出最小尺寸的高能電阻器，適用於脈衝或高能量應用，如預充電電路。 大容量電阻器本質上是具有高能量密度的無感電阻器。
與碳復合電阻器相比，陶瓷復合電阻器和矽金屬電阻器散熱更快，在矽金屬電阻器的情況下，可以容忍更高的平均功率。 矽電阻器的高溫能力也比碳元件電阻器甚至陶瓷電阻器具有更高的能量密度，這意味著零件更小或更少，從而獲得更好的可靠性和更低的成本。 與陶瓷電阻器一樣，矽金屬電阻器在極端電壓和溫度下也表現出更好的穩定性。 與其他“高電容”電阻器一樣，它們是無感的。 這使得它們非常適合電池或高頻應用的預充電電路中的預充電電阻器。
EV預充電電阻器。
高頻雷射脈衝應用。
電容器放電。
無感電阻，非容性負載突降。
放大器應用需要無感功率電阻器。
預充電電阻電路。
發電機和風力渦輪機充當負載下降。
緩衝區應用。
虛擬負載。 過壓保護。
電池預充電電路。
大多數電阻元件不太適合高電壓和高能量的組合。 當傳統的電阻元件（繞線或薄膜型別）在油下使用時，高能事件會導致導電元件的溫度顯著公升高。 由於元件的表面積小，這種高熱通量很難消散。 這些小元素產生的高熱量也會帶來油降解的風險。 就可生物降解油而言，它們變得越來越普遍，它們具有更高的水分，並且可以有更多的碳氫化合物氣體溶解在油中。 這可能導致油品降解，影響關鍵的熱和電氣規格。 對於給定的高能事件，矽金屬電阻器的溫公升要低得多，因為 100% 的活性材料是導電的，這使得能量和功率可以均勻地分布在整個質量中。 矽金屬線性電阻器還具有較大的表面積，這使得更容易將熱能傳導到油中。 在大多數油下的效能也是眾所周知的。
矽金屬電阻器（Si-metal）是採用100%活性材料的矽金屬電阻器，具有極高的浪湧能量額定值，並提供比傳統陶瓷復合電阻器更高的擴充套件工作溫度。 這些SIICO電阻器允許350°C的連續額定溫度和390°C的短期額定溫度。 我們的矽金屬電阻器適用於需要高耐壓性和高電流密度的空氣、油和 SF6 環境和應用。 矽金屬電阻器的獨特結構可實現最高的連續額定功率和高能量吸收。 矽金屬線性電阻器故障發生在 600°C 及以上。 矽金屬電阻器的常見幾何形狀是不同尺寸的棒和管。 與其他陶瓷電阻器一樣，矽金屬電阻器可以串聯或併聯，以獲得不同的總能量、電氣值和額定功率。
矽電阻器材料特性