在晶元製造過程中，光刻工藝是不可或缺的環節，它通過光化學反應原理在矽片上形成電路圖案。 光刻膠作為光刻工藝中的核心耗材，其效能直接影響光刻質量。 然而，目前在全球光刻機領域的主導地位被日本壟斷，日本佔據了全球80%以上的市場份額。 特別是在高階光刻膠領域，如EUV光刻膠，世界上只有日本廠商可以製造。 這種對**鏈的單一依賴使得中國晶元製造面臨供應中斷的風險，因此中國一直致力於國產光刻膠的突破和替代。
為了擺脫對日本光刻膠的依賴，我國近年來一直在加強自主研發，特別是在高階光刻膠領域取得突破。 光刻膠可分為半導體光刻膠、LED光刻膠、LCD光刻膠和PCB光刻膠，其中半導體光刻膠難度最大。 根據工藝的先進性，半導體光刻膠可分為EUV光刻膠、ARF光刻膠、KRF光刻膠和I線光刻膠。 此前，我國的光刻膠僅限於乾式ARF階段，相應的晶元工藝最多只能達到65奈米左右。 不過，徐州博康近日宣布，旗下兩款濕法光刻膠已進入產品驗證和匯入階段，最高可達14nm節點。 此外，他們有15種I-line光刻膠產品，30種KRF光刻膠產品，26種ARF光刻膠產品，足以取代日本的許多光刻膠。
事實上，開發光刻膠並不是一件容易的事。 光刻膠是由多種化學材料合成的複雜產品，開發過程需要不斷調整配方。 配方涉及數百種樹脂、光酸和新增劑的組合，需要嘗試、驗證和調整，直到成功開發。 此外，對現有光刻膠組合物進行逆向分析是不可行的，因為混合後材料的成本和效能可能會發生變化，無法準確分析。 材料的提純等方面也對廠家的能力提出了要求，即使了解了某些材料的成分，如果不能實現提純，光刻膠也無法成功開發。
作為全球最大的晶元市場之一，中國的晶元產能近年來一直在增長，並設定了實現70%自給率的目標。 因此，國內對光刻膠的需求也在增加。 隨著工藝的不斷推進，高階光刻膠的需求呈現井噴式增長。 因此，國內光刻膠廠家應繼續努力完善產業鏈，加快首鏈國產化，為光刻膠國產化貢獻力量，力爭盡快實現7奈米、甚至5奈米、3奈米的技術突破，從而從根本上解決後顧之憂。
光刻膠的研發過程非常複雜，涉及多個方面的研究和驗證。 在開始研發之前，科學家需要定義光刻膠的效能要求，並確定適合不同工藝的光刻膠型別。 其次，研發人員需要調整配方，嘗試不同化學材料的組合，通過實驗逐步優化光刻膠的效能。
在配方調整過程中，研發人員需要面對多種化學材料的排列組合，需要嘗試和驗證數百種可能性。 這個過程需要大量的時間和精力，同時也考慮到光刻膠在實際生產中的可行性和經濟性。 在尋找正確的配方組合時，科學家需要充分了解不同化學材料的特性和相互作用，以確保光刻膠的效能符合要求。
除了配方除錯外，光刻膠的研發還需要解決材料提純的問題。 雜質的存在會影響光刻膠的效能和穩定性，光刻膠的淨化過程需要借助先進的技術和裝置進行加工。 因此，掌握材料純化技術也是光刻膠發展的重要挑戰。
同時，光刻膠的開發也考慮到了成本控制和環境友好性。 光刻膠作為晶元製造過程中的關鍵材料，也會直接影響晶元的成本。 因此，在研發過程中，研究人員需要在保證效能的同時，盡可能地控制光刻膠的成本，以提高整體經濟效益。 此外，環境友好性也是光刻膠開發中的重要考慮因素，研究人員需要選擇符合環保標準的化學材料，探索更環保的生產工藝，以減少對環境的影響。
近年來，中國在晶元製造領域取得了長足的進步，晶元產能不斷增長。 同時，國產光刻膠的研發和推廣也取得了一定的突破，高階光刻膠的國產替代仍在繼續。 徐州博康的突破證明了中國在光刻膠領域的實力和潛力。
國產光刻膠的發展對我國晶元產業具有重要意義。 首先，國產光刻膠的突破可以減少對日本光刻膠的依賴，降低首鏈風險，保證晶元生產的穩定性。 其次，國產光刻膠的成功研發將進一步推動我國晶元製造工藝的公升級和發展，提高國產晶元的競爭力。 最重要的是，國產光刻膠的成熟和推廣，可以進一步推動我國晶元產業的自主創新，實現核心技術的掌握和引導。
然而，國產光刻膠的發展也面臨著一些挑戰。 首先，光刻膠的開發需要大量的時間、金錢和人力資源，以及多個科學領域的知識。 因此，為了加快國產光刻膠的發展，有必要加強相關科研機構的合作與支援，提供更多的研發資源和條件。 其次，光刻膠市場競爭激烈，國內光刻膠廠家需要提高產品質量和效能，以滿足國內外客戶的需求。 此外，光刻膠的生產工藝也需要加強，以提高生產效率和穩定性，以確保光刻膠的穩定性和可持續性**。
總體來看，國內光刻膠廠商在國產化替代方面取得了一定的突破，但還需要進一步努力完善產業鏈，加快技術公升級，與相關科研機構、晶元製造企業開展更緊密的合作，共同推進光刻膠國產化程序。 只有國產光刻膠才能逐步覆蓋高階領域，實現對多種晶元工藝的支援，才能真正解決中國晶元產業面臨的後顧之憂，為中國晶元製造業的可持續發展提供有力支撐。