晶元關鍵裝置再破越！中國電科28nm離子注入機在中國生產

近期，美國、日本、荷蘭開始採取聯合措施，限制晶元、半導體裝置、材料等產品的出口，以阻止中國半導體產業的發展。然而，也正是因為它們的減少，才喚醒了國內科學家、科學界和企業界探索自我的決心，他們正在乙個個打破相關技術的封鎖。

近日，中國電科在積體電路關鍵裝備領域取得新突破，實現了28nm離子注入機的全面國產化，為積體電路產業增添了又一利器

據中國電子科技集團公司近日在社交平台發布的資訊顯示，中國電子科技集團公司下屬的中國電子科技集團已實現28nm工藝離子注入裝置全覆蓋。

據CEC介紹，公司已超越光路、控制、軟體等關鍵模組核心技術，已形成中光束、大光束、高能、第三代半導體等全系列離子注入機產品，實現28nm工藝全覆蓋，確保生產"核心"中國製造。

這意味著中國電子資訊產業集團全面實現了28nm離子注入機的國產化，標誌著晶圓製造又乙個關鍵環節的突破，意義重大。

首先"卡脖子"關鍵技術方面的突破。

離子注入機與光刻機、刻蝕機同等重要，是晶圓製造中不可或缺的裝置，成熟的28nm工藝技術是目前晶圓應用覆蓋面最廣的。因此，中國電科實現了國家離子注入機28nm工藝的全覆蓋，這意味著中國在晶圓製造產業鏈中創造了乙個重要環節。

這也意味著中國電科取得了突破性進展"瓶頸"技術，不再依賴進口裝置。

其次，有望加快國產積體電路的發展，推動積體電路的國產化程序。

中國電科實現了28nm全光譜離子注入機的自主研發，可有效緩解我國晶圓製造領域的斷鏈問題，也為高階離子注入機的創新發展奠定了良好的基礎。同時，在技術成熟領域有效保障了我國積體電路製造業的產業安全，全面支撐了產業鏈的抗風險能力和安全水平。

這意味著中國電科的28nm離子注入機能夠有效保障晶圓製造的國產化，對推動晶圓國產化程序具有積極意義，有望加速國產矽片的崛起。

第三，對打破對國外片源的封鎖具有一定的積極意義。

在矽片製造領域，特別是在成熟過程中，我國技術水平取得了重要進步，具備了一定的自主創新能力。這對打破國外片劑對我國的封鎖具有一定的積極意義。隨著技術的不斷改進和成熟，我們有望逐步實現矽片的自主可控，減少對進口矽片的依賴。

事實上，在離子注入機取得突破之前，擴散爐、光刻機、薄膜沉積裝置、化學機械拋光機、清洗機等領域也取得了進展。換言之，中國的半導體產業正在變得越來越強大。

總之，中國電科實現了國發離子注入機28nm工藝的全覆蓋，對我國晶元的發展產生了深遠的影響。這標誌著我國在晶圓製造領域的技術水平有了長足的進步，可以為晶圓製造企業提供一站式解決方案，全面支撐產業鏈的抗風險能力和安全水平。

同時，這也為我們打破中國矽片在國外的封鎖，實現矽片自主可控提供了有力支撐。未來，隨著中國半導體產業的不斷進步，相信中國半導體產業會越來越強大。

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