晶元裝置制裁更致命，產業鏈面臨現實考驗
近年來，隨著我國半導體產業的快速發展，出現了趕超美國的趨勢。 過去，美國為了維護霸權而打壓中國半導體企業，華為首當其衝。 繼華為之後，中芯國際、龍芯中科、上海微電子也受到牽連。
今年3月，美國拉荷蘭和日本組建了它"三方聯盟"限制中國半導體公司獲得先進的紫外線裝置。
5月，日本當局對23種半導體裝置實施出口管制，直接限制45nm光刻機出口。 6月底，荷蘭當局對半導體裝置和14nm-45nm光刻裝置進行了出口管制。 此後，美國、日本、荷蘭三方結盟，打壓中國半導體產業，非常煩人。
7月初，中國控制了鎵、鍺等重要原材料的出口。 此後，美國、日本、荷蘭、南韓、澳大利亞等國對此表示擔憂。 日本要求採取法律行動，而荷蘭則希望歐盟介入，從中國獲得足夠的鎵和鍺。
面對西方國家的反應，國內廣大網友都非常高興，認為中國對鎵鍺出口的控制是"打蛇，打七寸"，這嚇壞了美國和其他西方國家。 那麼真的是這樣嗎？我不這麼認為。
控制鎵和鍺的出口是乙個很好的措施，但不能解決根本問題。
據介紹，我國鎵儲量約佔世界儲量的85%，鍺儲量約佔世界儲量的40%。 無論是儲備還是產能都無法解決中國的根本問題。 在儲量和產量方面，中國位居世界第一，擁有鎵和鍺出口的話語權和定價權。
當中國鎵和鍺出口受到控制時，鎵和鍺的增長是單獨鎵的5倍，達到10000公斤。
客觀地說，控制中國的鎵鍺出口是乙個很好的措施，這讓前美國等西方國家意識到，中國也有反制措施，不是誰都捏不住的軟柿子。
遺憾的是，鎵和鍺只是半導體的核心材料，而不是核心技術和核心裝置。 控制鎵和鍺的出口並不能解決中國半導體行業技術裝備匱乏的問題。
積體電路裝置的問題是："是和否"、鎵、鍺等積體電路原材料都是問題所在"更多和更少"。
我國半導體產業存在基礎薄弱、技術積累不足、基礎裝置匱乏等問題。 這些都是問題"是和否"例如，中國沒有EUV光刻機，無法生產高階DUV光刻機。 比如晶元代工，中國只能小規模生產14nm晶元，14nm工藝以下的晶元什麼都做不了。
是，不就是不是，這是我們必須承認的現實。
相反，鎵和鍺是不一樣的，鎵和鍺是生產半導體的原料，這種原料在很多國家都可以買到，但是"買入多頭"跟"購買更少"問題。 只要第一鏈的分工合理，缺鎵少鍺的問題終將迎刃而解。
目前，美國、日本和荷蘭已經成立"三方聯盟"在限制EUV光刻機出口的同時，也限制了高階DUV光刻機的出口。 目前，ASML的無限制光刻機只有1980i，是ASML十幾年的老式光刻機，對中國晶元生產的幫助有限。
如果這個問題不能解決，我國半導體產業的發展將難以實現長遠發展。