文章**： 化工新材料***
12月13日，三井化學與世界領先的奈米電子和數字技術研究與創新中心imec達成合作簽署戰略合作協議常見極紫外光的發展（euv）光刻，並簽名使用碳奈米管（cnt）下一代薄膜用顆粒商業化戰略合作協議，用於極紫外 （EUV） 光刻。
通過此次合作，三井化學將在2025-2024年將自己的CNT顆粒技術與IMEC的CNT顆粒基礎技術相結合推出大功率EUV光刻技術產品
協同發展下一代EUV薄膜
IMEC將為三井化學下一代產品的商業化提供諮詢和EUV光刻機評估。 新一代CNT磁珠旨在保護光掩模在EUV光刻過程中免受汙染，並提供出色的光學效能，例如高EUV透射率（>94%）和極低的EUV反射率，這對於先進半導體製造中的高良率和高吞吐量至關重要。
此外，新一代CNT顆粒可承受超過1kW的EUV**功率，使其適用於ASML創新路線圖中的下一代EUV光刻機（>600W）。 在大批量生產過程中使用EUV光刻裝置的公司對這種新產品的特性非常感興趣，目前，三井物產和imec都希望通過這種合作加速用於下一代EUV光刻的碳奈米管顆粒的商業化
加快電影業務布局
隨著半導體的小型化，EMUV光刻機變得越來越複雜，三井化學希望將下一代薄膜商業化，以滿足對半導體相關業務日益增長的需求。
此前，三井化學從旭化成手中收購了半導體和LCD製造工藝中光掩模的保護膜業務，除了前端半導體工藝中使用的EUV薄膜外，還將充分利用旭化成在該業務方面的專業知識，生產使用深紫外（DUV）光源的光刻工藝中使用的DUV薄膜。 目標是通過在後端工藝中生產用於3D安裝的薄膜來滿足需求，這將在其薄膜業務中產生協同效應。 當今最先進的半導體光刻工藝使用 EUV 光源，特別是 135nm的光。 EUV光允許在半導體中構建更小的單元特徵。 據報道，EUVL系統目前的成本為15億美元，由ASML於2024年首次部署，該公司一直保持著100%的市場份額。
據報道，EUVL系統目前的成本為15億美元，由ASML於2024年首次部署，該公司一直保持著100%的市場份額。
關於imec：
世界領先的奈米電子和數字技術研究和創新中心之一，總部位於比利魯汶，在比利時、荷蘭和美國設有研究中心，並在三大洲設有辦事處。
imec是半導體價值鏈的全球行業領導者，擁有最先進的研發基礎設施和頂級研究人員團隊，其業務涵蓋先進半導體和系統擴充套件、矽光子學、人工智慧、5G以外的通訊和感測技術，以及健康和生命科學、移動和工業40. 農業食品、智慧城市、可持續能源、教育等應用領域。