2023 Post Sprint Contest Micro：Bit 基礎程式設計指南 輸入功能組（特殊分析） 10
（2）上拉輸入方式：
上拉輸入是指訊號進入晶元後由內部上拉電阻拉至高電平，其作用是復位後保持引腳的初始狀態為高電平，不會影響埠上高低壓訊號的輸入。
在上拉輸入模式下，來自IO埠的電平訊號通過施密特觸發器，直接進入輸入資料暫存器。 在IO口懸空的情況下（在沒有訊號輸入的情況下），輸入電平可以保持高電平;而當IO口的輸入為低電平時，則為輸入電平低電平。
（3） 下拉輸入模式：
下拉輸入是指訊號進入晶元後由內部下拉電阻拉至低電平，其作用是復位後保持引腳的初始狀態為低電平，不會影響埠上高低壓訊號的輸入。
在下拉輸入模式下，I-O埠的工作方式與上拉模式相反。 來自 IO 埠的電平訊號通過施密特觸發器，直接進入輸入資料暫存器。 在IO埠懸空的情況下（在沒有訊號輸入的情況下），輸入端的電平可以保持在低電平;而當IO口的輸入為高電平時，則輸入為高電平。
（4）模擬量輸入方式：
輸入訊號進入晶元後，不經過上拉和下拉電阻，也不經過施密特觸發器，而是將電壓訊號通過另一條線傳輸到晶元上相應的外圍模組，通常是ADC模組，然後ADC採集電壓訊號。 模擬輸入訊號是未經任何電路干預和處理的訊號，是埠輸入的原始電壓訊號。
（5）推挽輸出方式：
在推挽輸出模式下，通過設定位來設定清零暫存器或輸出資料暫存器的值，並控制P-MOS和N-MOS電晶體的導通，以控制IO口的輸出電平是高電平還是低電平。 當輸出值設定為1時，P-MOS管導通，N-MOS管關斷，I-MOS口電平由P-MOS管確定為高當輸出值設定為0時，P-MOS電晶體處於關閉狀態，N-MOS電晶體處於ON狀態，由N-MOS電晶體確定I-MOS埠的電平為低電平。 同時，IO口的電平也可以由輸入電路讀取;請注意，IO 埠的電平必須是此時輸出的電平。
推挽輸出可以輸出高低電平，並可連線到數字裝置和裝置。 推挽式結構一般是指兩個電晶體分別由兩個互補訊號控制，當乙個電晶體導通時，另乙個總是被切斷，每個電晶體負責正負半週期波形放大任務。 電路工作時，兩個對稱電源開關一次只有乙個導通，因此導通損耗小，效率高。 輸出既可以將電流吸收到負載中，也可以從負載中吸收電流（源電流）。 推挽輸出可提高電路負載能力和開關速度。
（6） 復用推挽模式
推挽式多路復用輸出模式與推挽式輸出模式非常相似。 只是輸出有高有低，不是讓CPU直接寫入輸出資料暫存器來決定的，而是使用片上外設模組的多路復用功能輸出。
（7） 開漏輸出模式：
在開漏輸出模式下，MOS電晶體的導通是通過設定清零暫存器的值來控制的，或者通過設定位來控制輸出資料暫存器的值。 這裡需要注意的是，當輸出值設定為高電平時，N-MOS電晶體關斷，高電平不能輸出到埠引腳。 在這種情況下，I.O.埠的電平不是由輸出的高低電平決定的，而是由I.O.埠外部連線電路上的高低電平決定的。
當輸出值設定為低電平時，N-MOS電晶體導通，I-O埠電平低。 同時，IO口的電平也可以由輸入電路讀取;請注意，IO 埠的電平不一定是輸出的電平。
（8） 多路復用開漏輸出模式：
漏極開路多路復用輸出模式與漏極開路輸出模式非常相似。 只是輸出有高有低，不是讓CPU直接寫入輸出資料暫存器來決定的，而是使用片上外設模組的多路復用功能輸出。