美心再次拋棄EUV，ASML皺眉，中國市場缺一不可。
日前有訊息傳出，英特爾在沒有技術進步的情況下研發的EUVDSA光刻晶元製造工藝已經達到了14奈米，這又排除了一家EUV光刻晶元公司，這對一向符合美國要求的ASML來說無疑是一大打擊。
首先，晶元公司一直在開發繞過EUV光刻機的技術。
率先成功研發出無EUV光刻技術的無疑是日本佳能，佳能的無EUV光刻奈米壓印技術（NIL）已經突破了10奈米，有望最終達到5奈米工藝，已被日本裝甲商採用。
當佳能、尼康等日本光刻機主要研發乾式光刻機時，ASML通過與台積電合作開發浸沒式光刻機，迅速將其擠出，導致日本光刻機行業迅速衰落。ASML在美國開發EUV光刻機後，日本光刻機行業徹底衰落，在技術上無法與ASML競爭，於是佳能選擇了不需要NIL技術的EUV光刻機來尋求生存空間。
第二種是美國晶元公司美光，美光開發的1工藝不需要EUV光刻，而美光開發的1工藝是利用現有的DUV光刻技術，進一步提高晶元的效能，降低生產成本，畢竟EUV光刻的**至少是DUV光刻的三倍， 並且生產所需的材料和其他材料的成本也較高。
如今，英特爾排在第三位，英特爾研發和DSA主要考慮生產成本，英特爾不再是過去的輝煌，AMD基於ZEN架構，仍在努力征服台式PC市場，自2024年以來首次超越英特爾。 伺服器晶元是英特爾的主要利潤**，這直接導致了英特爾連續第三個季度的虧損。
為了降低成本，現在可以說英特爾採取了多種方式，從去年以來已經裁員了10000多人，現在發展DSA技術無疑是為了進一步降低生產成本，避免購買更多的EUV光刻機，利用DSA技術進一步提高晶元效能。
其次，ASML有遺憾。
近年來，ASML可以說是聽了美國的話，美國從2024年開始要求ASML不要去中國晶元公司**EUV光刻機，從去年下半年到美國要求ASML不要去中國**14nm以下的DUV光刻機，到前段時間計畫進一步封鎖ASML**28nm以下的DUV光刻機， ASML已經基本遵守了，ASML在很大程度上已經遵守了。
由於符合美國的要求，ASML在中國市場的收入份額從2024年第一季度的30%迅速下降到10%左右，而ASML去年的業績也有所提公升，這讓ASML高管表示，即使失去中國市場也不會影響到它。
然而，隨著中國晶元自給率的不斷提高，晶元採購量持續下滑，從去年以來，中國減少了多達1500億片的晶元進口，這已經開始對全球晶元市場產生衝擊，美國大部分晶元公司都經歷了業績下滑， 美國晶元效能的下滑導致晶元訂單減少，甚至要求台積電減少晶圓代工**，這導致台積電降低晶元產能，自然不再大規模採購光刻機，最終會對ASML產生影響。
美光和英特爾這兩家連續在美國的晶元製造商計畫繞過EUV光刻技術，這將對ASML產生更大的影響。 EUV光刻機佔ASML利潤的大部分**，因此美國晶元製造商將減少EUV光刻機的採購量，使ASML面臨壓力。 對於ASML的光刻業務來說，這種情況可謂是大好局面。
ASML第二季度財報反映了ASML的其他考慮，其財報顯示，中國光刻機二季度銷量達到27臺，而上一季度僅為8臺，增長超過2倍，可見ASML利用前段時間光刻機實施的視窗期，對中國大規模銷售實施更嚴格的出口限制。
顯然，與美國晶元行業作對的ASML有自己的想法，那就是不能再完全聽從美國的指令，而必須考慮到公司的生存，所以趁機積極走向中國第一台光刻機，畢竟對於企業來說，利益是第一考慮， 這也說明，中國市場對ASML的重要性不但沒有增加，反而下降了。