8月29日，華為Mate60系列的發布就像乙個里程碑式的事件已經過去了三個多月，最大的變化是發現網友對光刻機的關注度明顯下降。
過去，例如，“某高校研製成功光刻機”，“中國科學家探索出製造光刻機的新路線”或“國產光刻機批量生產”。 這些訊息的每一次出現，都引起了廣大網友的熱議，這意味著人們渴望實現中國晶元製造的國產化。
如今，華為旗艦手機已恢復正常銷售。 根據 Canalys 的資料，截至11月7日，華為Mate60系列總銷量已公升至250萬台。 其中，華為Mate60 Pro約佔整體銷量的60%。 截至目前，又過了三四個星期，相信Mate 60系列的銷量已經突破了300萬台。 這清楚地表明，華為已經找到了應對美國制裁的方法。
ASML光刻機一步步走上死胡同
在全球範圍內，荷蘭公司ASML每年生產20臺高階機器每年，台積電和三星都會為此展開激烈的競爭。 儘管等待了三年，中芯國際還是沒能引進中國第一台EUV光刻機。
ASML的成功可以追溯到20世紀80年代，當時荷蘭飛利浦公司為了提高晶元生產效率，開始開發光刻機。 ASML作為飛利浦的子公司，逐步接管了該業務，並繼續進行技術創新和研發。
90年代初，ASML開始涉足浸沒式光刻機技術。 通過不斷的技術研究和實驗，ASML成功研發出第一台浸沒式光刻機樣機。
2024年，ASML推出了第一台商用浸沒式光刻機Twinscan NXL1000。 這款光刻機在市場上大受歡迎，幫助ASML在全球半導體市場佔據一席之地。
2024年，EUV光刻機研發成功，ASML從此登上頂峰，壟斷高階光刻機市場。
然而，EUV技術並非無懈可擊。 首先，EUV光刻機的成本極高，一台EUV光刻機**高達1臺5億美元，維護和運營成本也相當昂貴。 其次，EUV光刻機的容量和穩定性仍有待提高。
近年來，中日兩國在光刻技術方面也取得了重大進展和突破。
例如中芯國際推出了基於N+1和N+2工藝的晶元，能夠在不使用EUV光刻機的情況下達到14nm和7nm的效能水平。
華為海思還開發了基於3D堆疊技術的晶元，無需使用EUV光刻機即可實現sub-5nm節點。 這些晶元不僅能夠滿足中國國內的需求，而且還出口到其他國家與ASML的EUV晶元競爭。
日本通過NIL技術的發展，創造了更經濟、更先進的光刻解決方案，有可能實現1nm甚至更低的節點。 現在日本理化學研究所、東芝等機構和公司已經在NIL技術方面取得了重要成就和進展，並計畫在2024年推出商用NIL光刻機。
在過去的三十年裡，ASML已經生產了大約五六千臺光刻機，但令人驚訝的是，其中95%仍在晶圓廠執行，包括像PAS5500這樣的傳奇老機器。 此外，中國還有許多從海外進口的二手機器。 儘管如此，ASML每年都在翻新和維護大量舊機器。 這種商業模式不禁讓人不禁好奇：舊的不淘汰，新的賣給誰？
ASML光刻機的挑戰和可能的衰落，既是技術變革的必然結果，也是全球半導體行業競爭格局變化的生動寫照。 在這個變革的時代，只有不斷創新，敢於挑戰現狀，才能在激烈的國際競爭中站穩腳跟。
華為Mate60系列未解之謎
搭載華為Mate 60 Pro的海思麒麟9000S突破了美國的制裁，在業界引起了不小的轟動。
近日，據TechInsights報道，華為Mate60系列拆解研究報告發布麒麟 9000s 使用 107mm 晶圓，比麒麟 9000 的 105mm 晶圓大 2%。
此外，通過對麒麟9000S的封裝級拆解，發現該晶元沒有EUV光刻機的光刻痕跡。 業內普遍認為，該晶元由DUV光刻機多次製造。
此前，業界主流觀點認為麒麟9000S是7nm工藝，也有人認為是14nm工藝，但華為增加了雙晶元疊加技術，達到了與7N晶元相似的水平。
日前，有使用者發現，華為Mate60 Pro將HarmonyOS系統公升級到最新版本後，通過第三方硬體檢測工具檢測麒麟9000S引數時，發現5nm工藝顯示得令人印象深刻。
從我們目前了解到的資訊來看，麒麟9000的工藝可以確定在5到14nm之間，更準確地說是5nm，7nm和14nm之一。 至於是什麼樣的過程，因為華為沒有公布，所以還是個謎。
根據最新報道，台積電前副總經理、被譽為浸沒式光刻之父的林本建認為在現有的DUV器件製造中，不僅製造7nm晶元，甚至製造5nm晶元都是可行的，但這樣做會非常昂貴。
據悉，華為計畫在 2024 年推出 P70、P70 和 P70 ART，預計明年將是第一波旗艦手機，但目前還不確定將與哪些晶元組配對。
林本健表示，在DUV器件上，從7nm晶元切換到5nm晶元是可行的，但需要付出很大的代價。 對於5nm SoC的大規模生產，至少需要四重圖案化，並且該過程需要多**和多刻蝕。 這個過程不僅耗時，而且成本高昂，可能導致華為P70系列明年沒有足夠的5nm麒麟晶元**。
他說：“其實EUV裝置也是如此，當裝置達到極限時，就要考慮需要多少次才能看蝕刻多少次，這也被半導體行業認為是'微型之路'，要花很多錢， 在達到摩爾定律和物理極限之前，將面臨成本的極限。 ”
國產光刻機的發展現狀如何？
如今，我國的光刻機採用類似ASML的模式，將各種科研院所和高校細分為子系統，然後由SMEE組裝整機。 中科院微電子研究所、長光研究院、尚光研究院、清華大學、浙江大學、哈爾濱工業大學等均參與了光刻機的研發。
上海微電子成功研製出DUV（深紫外）光刻機。 可用於28nm低端晶元的量產，標誌著我國半導體製造領域取得重要突破。
**在：官方網站
中芯國際已經能夠使用其現有的ASML浸沒式光刻機生產7nm晶元，並為華為提供手機晶元。
雖然國內外頂尖的光刻工藝還存在較大差距，但人才是決定技術發展的關鍵，如台積電、三星、蘋果、華為等，都靠著處處挖掘技術人員才能站在行業前列。
絕大多數台積電人來自德州儀器;憑藉3倍的片酬，三星挖走了眾多同行業技術人員，擊敗了當年的快閃記憶體老闆東芝;另一方面，華為專門招募有能力創造技術專利的人，例如加拿大北電網路的董事童溫。
國內光刻機廠家如下：
光刻機國產化是我國半導體產業發展的重要方向之一。 中國通過加大研發力度、人才培養引進力度、合作交流力度、產業協調力度和政策支援力度，加快光刻機技術發展，提高自主創新能力和國際競爭力。