國產14nm晶元上市，7nm國產化有望
國產28nm光刻工藝受到了極大的關注，這意味著它可以量產，最近，一部14nm手機也預示著該產品正式量產。
i.14奈米國產積體電路的重要性。
因為我們都知道，目前ASML的14nm光刻工藝，以及本土的半導體廠商使用光刻膠等原材料，都無法為其提供晶元，而現在，14nm晶元已經應用於移動**，這意味著28nm光刻工藝和光刻膠等材料已經完全國產化。
在華夏，有傳言稱國產28nm光刻機已經通過測試，但到目前為止，還沒有新的進展。
28nm光刻機的量產是國內高階光刻機中非常關鍵的一環，28nm及以下級別的光刻機，全部採用浸沒式光刻機，從浸沒式光刻機到14nm，完全沒有難度，28nm和14nm使用相同的光源，在技術上有相似之處。
28nm光刻機的量產對中國來說也是乙個巨大的進步，因為我們都知道中國買不到14nm以上的光刻機，甚至連高階光刻機配件都買不到，這就導致了中國光刻機產業鏈越來越完整，所以會有這麼長的研發週期。
此前，我國八條生產線中，有不少已經達到了14奈米，蝕刻裝置和封裝技術也達到了5奈米，現在，光刻機也開始批量生產。
其次，國產7nm工藝有望實現。
28nm光刻技術的大規模生產，將為我國急需的7nm技術開闢一條新路。 7nm工藝沒有使用EUV，台積電原有的7nm工藝是14nm滲透光刻技術，但由於7nm技術的規模不大，只能算是中等水平。
國產光刻機，在28奈米的基礎上，已經攻克了穿透的核心，用不了多久就有人告訴他，中國最多幾年就能研製出14nm的EUV，而那些科學家，大概在這個時候，就收到了一些傳聞。
光刻機巨頭ASML也表示，即使拿到了中國光刻機的設計，中國也沒有實力自主研發14nm EUV，但很快改變了態度，聲稱中國遲早會有實力自主研發高階光刻機，而作為工業巨頭， 它有更多的資訊，因此可以推斷出中國在高階光刻機領域取得了長足的進步。
14奈米可以解決70%的國產晶元，7奈米可以解決90%，中國在這一領域的快速發展也完全符合美國的預期。 美國億萬富翁比爾·蓋茨曾經說過，美國無力遏制中國的高階晶元技術，現在看來，比爾·蓋茨的**已經成真了。
近年來，國產晶元發展非常迅速，日晶元產量已超過10億顆，並且已經超過30%，這是基於28奈米技術的，隨著更先進技術的進步，國產晶元自給率將進一步提高，到2024年，我們可以達到70%的晶元自給率。
從目前情況來看，中國對國外晶元的需求將快速下降，2024年中國半導體進口量將減少15%，1-2月份中國半導體進口量將減少26個5%，加速國產替代給美國帶來了沉重的衝擊，美國的半導體產業要麼遭受虧損，要麼經濟下滑，接下來必然會受到中國的影響！接下來，他們勢必會受到中國晶元的更大打擊。