最全MOSFET公尺勒效應分析最全MOSFET公尺勒效應分析的阻性負載 一人一句為研究生入學考試加油 感性負載是網路上分析最多的版本，因為感性負載是應用最多的場景，比如開關電源、電機、 繼電器等 網上分析的電路是控制繼電器的電路，然後將繼電器的線圈作為電感進行分析，由於電感電流不能突然改變，因此將其視為恆流源。 這裡我覺得有一定的問題，第乙個問題是繼電器的規格很明確，線圈電阻不小，幾萬歐姆。 第二個錯誤是把他當成恆流源，當然因為他的電感很大，電流變化很慢，但是繼電器線圈是恆流的，這意味著繼電器一直在工作，這顯然是不合理的，而且在開關電源中，電感是紋波電流，所以我覺得整個分析就差了一點。 在阻性負載中，也提到整個過程沒有提到VDS下降的原因，即二極體不導電，沒有箝位，所以開始下降，解釋不夠透明。
首先，我們來看一下繼電器開關電路，電路等效圖如下。
在上圖中可以發現，上圖中的阻性負載存在差異，即ID的電流在公尺勒平台末端並沒有幾乎達到最大值，而是遠低於最大值，並且在公尺勒平台之後仍在增加。
T0 T1 階段：
此相位與電阻負載相同，因為繼電器不工作時電流為 0。 此時，VIN為OV，VGS
T1 T2 階段：
波形可能比負載的電阻性更大，負載幾乎總是大於電源電壓 vcc。 即IGD的電流受繼電器線圈電感L的影響，因為電感兩端的電壓UL=LDi DT，IGD=CGDDU DT，所以VDS會被抬起，當續流二極體D1的正向壓降大於繼電器的正向壓降時，二極體就會開始工作， VDS 將被鉗位到 VCC+VF。VGS 處於此階段
T2 T3 期：
在 T2 時，VGS 增加到 VTH，此時 MOS 管開始開啟，電流開始流動，狀態發生。 VDS>VGS-VTH，所以現在MOS管已經從截止區來到了恆流區。
這時，只要VGS比VTH大一點，就會被放大GM倍而成為ID，此時繼電器線圈電流幾乎為0時，當ID-IGS=IL>0時，電感開始充電，因為電流有變化，所以電感兩端都有UL， 並且存在 UR，因此 VDS=VCC-UL-UR 開始下降。VDS壓降 根據阻性負載的分析，CGD的DU DT會變大，導致大部分電流流向CGD，只有一小部分電流流入CGS，導致CGS兩端電壓變化緩慢，因此出現平台。 當VDS下降到VGS-VTH時，該階段結束，由於電感的影響，電流沒有達到最大VCC R，因為直到UL=0才達到最大VCC R。
T3、T4 和 T4 後階段：
此時，VDS此時，VCC通過R對L充電，使UL逐漸降低，IL或ID將逐漸增加到VCC R。
接下來，我們來看電感電流不是0，以公升壓電路為例，電路如下：
從波形圖中可以看出，VDS、ID 和 VGS 的波形與前面解釋的完全不同，當然也與其他文章中描述的波形不同。 為什麼不一樣，讓我們來看看。
T0 T1 階段：
在這個階段，vin 是 ov， vgs
T1 T2 階段：
此階段位於 VGS 中
T2 T3 期：
此時，二極體被切斷，但由於二極體具有反向恢復電流，可以看到id會衝得很高，回落，然後慢慢上公升。 正因為如此，理想的狀態是進入和退出VA的公尺勒平台，但由於二極體恢復了電壓，VGS一直在波動，直到ID回落然後緩慢上公升。 但是這個時候VGS還是變了，所以ID變了，所以會有UL，所以VDS會下降。 當VDS下降到VGS-VTH時，該階段結束，此時由於電感的原因，電流未達到我們想要的最大IL。
T3、T4 和 T4 後階段：
此時，VDS
鑑於彌勒菩薩效應，做乙個總結。 引數公尺勒效應的原因是，這也是公尺勒平台，在恆流區域，VGS的微小變化也會帶來ID的較大變化，而ID的增加，VDS的降低，DVGD的降低，IGD的增加，IGS的降低， 而且VGS的變化很小，所以好像是有平台的。VGS不會因為ID不變而改變，除非負載是真正的恆流源，否則ID不可能保持不變。