由於翻譯問題，它也被稱為公尺勒效應。 在MOSFET的開關電路中，根據教本習中學到的MOSFET原理，在N溝道MOSFET的柵極（G）大於轉動電壓VTH時增加柵源電壓VGS，MOSFET將導通，當VDS
這種現象的發現最早是由美國科學家羅伯特·公尺勒發現的，因此以他的名字命名。 MOSFET中公尺勒效應的主要原因是MOSFET的寄生電容。
在MOSFET資料表中，您將看到三個電容器，它們是：
輸入電容 CISS = CGD + CGS
輸出電容 COSS = CGD + CDS
反向傳輸電容 CRSS = CGD
從資料表中可以看出，CGS=CISS-CGD 比 CGD 大得多
從上圖可以看出，由於MOSFET的結構會帶來大量的寄生電容，所以CGD和CDS都標記在那個地方，但CGS沒有看到。 CGS電容為：
CP是柵極和p體之間的電容：它受柵極、漏電壓和溝道長度的影響。 CP 是 CGS 成分中唯一受洩漏電壓 （VDS） 變化影響的部分。 隨著VDS的增加，耗盡區向P型體擴充套件，CP值降低。 這是因為耗盡區不超過p體的10%。 因此，由於 VDS 引起的 CGS 變化很小。
CGD 它受柵極和漏極電壓的影響。 當VDS發生變化時，CGD下的區域（n-遇到柵極氧化層的漂移區域）會發生變化，電容值會受到影響。
CDS的厚度隨VDS而變化，VDS是P型體和N漂移區的結厚。
對於MOSFET的公尺勒效應，網上有很多分析，很多工藝，其實是Maxim Semiconductor的乙份申請檔案，並沒有很清楚地解釋開通過程中的一些問題，含糊不清，橫而過。 在我的下一篇文章中，我將嘗試清楚地解釋這個過程。
MOSFET的公尺勒效應是好是壞？在我看來，質量取決於應用場景，比如開關電源的使用，MOSFET開關頻繁，公尺勒效應會影響開關速度，VDS的下降時間越長，損耗越大，發熱越嚴重。 但是，如果MOSFET在啟動電路中只導通一次，則上述問題就不那麼重要了，可以使用公尺勒效應來調整電源的上公升時間，從而降低浪湧電流。
下一篇文章將詳細分析MOSFET導通過程，解決分析一人一句為研究生招呼過程中的一些矛盾。