CVD（化學氣相沉積）。它是半導體工業中應用最廣泛的技術，用於沉積各種材料，包括各種絕緣材料、大多數金屬材料和金屬合金材料。
從理論上講，它很簡單：將兩種或兩種以上的氣態原料引入反應室，然後它們相互發生化學反應，形成一種新材料，沉積在晶圓表面。 乙個很好的例子是沉積的氮化矽薄膜（Si3N4），它是由矽烷和氮氣反應形成的。
化學氣相沉積是一種製備薄膜的傳統技術，其原理是利用氣態前驅體反應物通過原子和分子之間的化學反應，分解氣態前驅體中的某些組分，並在基體上形成薄膜。 化學氣相沉積包括大氣化學氣相沉積、等離子體輔助化學沉積、雷射輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積等。 但是，隨著技術的發展，CVD技術也在不斷創新，並且有許多專門用於某些用途的技術。
等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）。它是化學氣相沉積中激發氣體產生低溫等離子體，增強反應物質化學活性的一種外延方法。 這種方法允許在較低溫度下形成固體薄膜。 例如，在反應室中，將基體材料放置在陰極上，將反應氣體引入較低的氣壓（1 600Pa），使基體保持在一定溫度，並以某種方式產生輝光放電，基體表面附近的氣體被電離，反應氣體被活化， 並在基體表面產生陰極濺射，從而提高表面活性。從表面上看，不僅有通常的熱化學反應，還有複雜的等離子體化學反應。 沉積膜是由這兩種化學反應共同作用形成的。 激發輝光放電的主要方式有：射頻激發、直流高壓激發、脈衝激發和微波激發。
PECVD裝置（等離子體增強化學氣相沉積）-鵬程半導體科技（深圳）**
等離子體增強化學氣相沉積的主要優點是沉積溫度低，對基體結構和物理性質的影響小膜的厚度和成分均勻性好;膜組織緻密，針孔少;膜層附著力強;應用範圍廣，可製備各種金屬、無機、有機薄膜。
薄膜沉積效果圖。
薄膜沉積效果圖。
熱絲化學氣相沉積
熱絲CVD在高溫下採用低壓氣相沉積，碳氫化合物在高溫下發生化學反應形成薄膜前驅體，當樣品溫度合適時，這些前驅體沉積在樣品表面形成金剛砂膜。 低壓化學氣相沉積形成的膜的厚度和成分比較均勻，膜層緻密。
CVD化學氣相沉積的基本特點是：
產生化學變化（化學反應或熱分解）;
膜內所有材料均為**外部來源;
反應物必須以氣相的形式參與反應。
熱長絲CVD的基本化學反應是化合物的熱分解（化學鍵斷裂）和光分解（利用輻射能破壞化合物的化學鍵）。 當樣品溫度為600-1000攝氏度時，烴類活性基團反應形成晶核，晶核形成孤島，孤島形成連續膜，反應副產物離開樣品表面，流出生長室。
熱線CVD金剛石裝置-鵬程半導體科技（深圳）**
鵬程半導體研發、設計和製造熱線CVD金剛石裝置（熱線化學氣相沉積CVD）。它分為實驗裝置和生產裝置兩大類。
該裝置主要用於微晶和奈米晶金剛石薄膜的研發和生產。 可用於機械、熱、光學和聲學金剛石產品的研發和生產。
可製造大尺寸金剛石多晶矽片，用於大功率器件、高頻器件和高功率雷射器的散熱片散熱片。
可用於生產防腐耐磨的硬質塗料環保領域汙水處理用金剛石產品。
可用於製備平面工件的金剛石薄膜，也可用於製備工具表面或其他不規則表面的金剛石硬質塗層。
可用於太陽能薄膜電池的研發和生產。
工件尺寸：圓形平面加工尺寸：最大600mm。
矩形工作尺寸的寬度為1000公釐，長度可根據塗層室的長度確定（例如工件長度1500公釐）。
配備水冷樣品臺。
它可以塗在單面或雙面。