作為晶元製造最關鍵的裝置之一，最先進的極紫外EUV光刻機長期被歐美壟斷，中國消耗了全球60%的晶元產能。 之前大肆炒作的光刻廠是不是好辦法？
光刻廠“只是乙個開拓者”。
根據這三個原理，目前EUV光源有四種可能的實現模式——雷射等離子體、同步輻射、超導加速——高功率自由電子雷射和穩態微束，最近被大家熱議了：清華大學工程物理系提出的穩態微束，即SSMB。
它與ASML EUV光刻機有何不同？ ASML的方案叫做“錫滴轟擊法”，其過程簡單如下：先熔化純錫，然後用專用噴嘴噴出，形成每滴錫滴直徑為27微公尺的錫霧，然後用二氧化碳雷射照射錫霧，將每一滴錫滴壓成像靶子一樣的餅狀， 然後立即用另一束雷射照射錫餅，錫餅就會開始發出波長為10 100nm的光，然後用鏡子反射錫餅發出的光。其中13個是用光學手段篩選出來的將5nm的極紫外光投射到晶圓上，並開始光刻。
光刻廠的理論前景比較廣闊
SSMB光源要粗糙得多，它需要乙個直線加速器，讓電子束以接近光速的速度在其中飛行，然後對它施加電磁場，使其轉動和減速，此時電子束會損失一定量的能量，而這種能量會以電磁波的形式傳輸， 而且我們知道光也是電磁波，所以如果你想得到什麼波長的光，你只需要控制電子束的能量。
因此，光刻廠的解決方案最吸引人的地方是，它可以獲得高功率、高重複頻率和窄頻寬的相干輻射，更不用說13的波長了5nm極紫外光，5nm波長軟X射線不成問題，功率可達4000W。
相比之下，ASML的EUV光刻機採用的是錫滴轟擊法，功率只有幾百瓦。 而且，這種SSMB-EUV可以做成乙個大環，上面有許多EUV光源光束線，同時啟動幾台光刻機，整個光刻廠的所有裝置都是圍繞這個光源設計的。
該技術尚待驗證，需要多路線演進。
但是，原則上SSMB是最有潛力的方案，但仍有許多技術難點尚未克服，例如環形光刻裝置的電子束反覆繞圈執行，而目前的SSMB器件仍在直線加速，電子束是單程的， 這就對穩定性提出了極高的要求，而目前的實驗驗證只證明跑一圈後就可以穩定下來，更多的圈數和更長的時間還沒有被證明，要知道光刻所需的光源的穩定性是以年為單位來衡量的。所以，在這個問題得到解決之前，現在說彎道超車還為時過早。
事實上，在其他幾條極紫外技術路線上，我們也在不斷嘗試進化，考慮到國產DUV已經發展起來，再加上中國在雷射領域的雄厚實力，打造EUV只是時間問題。
目前最接近實用的是與ASML相同的雷射等離子方案，該方案於2024年完成原理驗證，並於今年4月獲得“2024年度吉林省科學技術獎提名專案”多項獎項。
提高雷射光源的強度是提高EUV光源功率的關鍵
同時，根據公開資料，如果要在3nm工藝中使用，EUV光源功率應達到500W水平，而1nm工藝應達到EUV光源功率的1000W水平，因此我國研究人員使用了多台高功率光纖雷射器進行替代，理論上可以通過多光束同時瞄準獲得1000W EUV光源功率， 本研究也是廣東省基礎與應用基礎研究的重大專案之一。
整體來看，雖然目前我國在EUV領域輸在起跑線上，但目前，隨著多渠道飽和研發，第一代EUV已經取得了重大進展，未來兩年應該能夠看到商業落地，以及其他技術路線，比如光刻廠， 中國也取得了重大進展或已開始建設，未來值得期待。