近日，《瓦森納協議》全體會議在維也納舉行，共有42個成員國參加，包括美國等西方國家，以及俄羅斯、印度、以色列等，隨後發布了2024年最新版本的《瓦森納協議》（又稱《瓦森納協議》，瓦森納安排）。
《瓦森納協定》是美國等西方國家對中國實施高科技封鎖的基礎。 《瓦森納協定》全體會議每年至少舉行一次，由成員國輪流主持，主要目的是達成各國共識，並根據科學技術發展和需要更新《瓦森納協定》。
在 2023 年最新版本的瓦森納協議中感測器和雷射器"lasers"）文章有9個新修訂版，是所有文章中修訂最多的，感測器技術也是被禁用最多的技術類別。
電子條目進行了七項新的修訂，這是修訂後第二多的技術類別，許多關鍵的半導體技術被歸類在電子條目中特別值得注意的是，增加了對半導體製造裝置的新制裁。 有關詳細資訊，請參見下文。
瓦森納協議的年度更新！感測器條目有 9 個新修訂版，變化最多！**半導體關鍵材料和裝置新獲批！
12 月 1 日，公布了 2023 年最新版本的瓦森納協議，涵蓋 9 類技術：
第 1 類“特殊材料及相關裝置”共 21 頁，第 2 類“材料加工”共 25 頁，第 3 類“電子”第 28 頁，第 4 類“計算機”第 6 頁，第 5 類“電信和資訊保安”第 23 頁。第 6 類“感測器和雷射器”有 40 頁，第 7 類“導航和航空電子裝置”為 9 頁，第 8 類“船舶”為 7 頁，第 9 類“航空和推進裝置”為 13 頁。
從類別中的頁數來看，感測器和“雷射”仍然是技術上最多樣化的違禁技術類別，長達 40 頁。
半導體技術主要歸入“電子電子”範疇，包括系統、裝置及元器件、測試、檢驗及生產裝置、材料、軟體及技術等，涵蓋半導體的所有領域。
2024年《瓦森納協定》修訂目錄。
在具體技術專案的修改方面，“感測器和雷射器”是修改最多的專案，有9個修改，“電子”專案有7個修改，是僅次於感測器專案的第二大修改技術類別。
其中，“感測器和雷射器”的技術資訊更新和修改如下：
6.a.1.a.1.d.- 水下“替換為”潛水器 - 編輯。
6.a.1.a.2.b.-tn 從 6a.1.a.2.b.2 移至文章末尾，使用與標準措辭相同的語言 - 編輯。
6.a.1.a.2.d.1.- 明確航向感測器的精度引數。
6.a.1.b.1.b., 6.a.1.b.2.- 明確聲納記錄裝置的精度引數。
6.a.2.a.2.- 刪除 tn
6.a.3.a.3.-明確電子條紋相機的精度引數。
6.a.5.d.1.e.- 更正了 tn 開頭的參考編號 - 編輯。
6.a.5.f.3.a.- 定義光學器件的精度引數。
6.c.5.b.-tn 注意 - 編輯。
編者按：TN是Technical Note的縮寫。
關於修訂 2023 年修訂版《瓦森納協定》的說明。
從新修訂的資訊可以看出，此次主要進行“打補丁”式修改，主要通過文字說明的修改和技術引數的充實，使制裁協議更加全面細緻，避免技術制裁中出現“漏網之魚”。
值得注意的是，文章中的“社論”一詞主要是指措辭的變化，修改了航向感測器、聲吶裝置、條紋相機、光學裝置等4個關鍵感測器的技術引數。
以下是對“感測器和雷射器”條目 6 新修訂版的回顧a.3.a.3.《電子條紋相機條例》的一些簡單翻譯：
6. a. 3.以下相機、系統或裝置及其元件：
a.儀表相機及其專門設計的元件如下：
注意：對於測量儀攝像機，請按 6a.3.a.3 規定。 至 6a.3.a.5.，採用模組化結構，應根據其最大容量進行評估，並使用根據相機製造商的規格提供的外掛程式。
1.自 2017 年以來未使用。
2.自 2017 年以來未使用。
3.時間解像度小於（優於）50納秒的電子條紋相機;
4.速度超過每秒100萬幀的電子框架相機;
5.具有以下所有功能的電子相機：
a.每幀電子快門速度（門控能力）小於 1 秒;和。
b.讀出時間允許幀速率超過每秒 125 幀
*： 2024年修訂版《瓦森納協議》
條紋相機是超快過程檢測的重要感測器件，對基礎前沿科學研究和重大原創創新具有重要意義，在高能量密度物理、雷射慣性約束聚變、同步輻射光源、雷射雷達成像、高壓放電、生物醫學、光物理、光化學等研究中發揮著重要作用，並能獲得時間， 目標的強度、空間等資訊。
正如你所看到的，《瓦森納協議》對感測器技術的應用範圍、目的和具體引數有明確而嚴格的要求。
電子“項，新增修改7項，包括對變換器、諧波混頻器、訊號發生器、訊號分析儀等裝置技術引數的修改其中，最值得關注的是3個b.1.a.2.參賽作品修訂說明：
addition of oxygen to compounds for equipment for epitaxial growth,resulting in the addition of gallium oxide
氧氣被新增到外延生長裝置中使用的化合物中因此新增了氧化鎵
關於修訂 2023 年修訂版《瓦森納協定》的說明。
3.b.1.a.2.該條目描述了有機金屬化合物化學氣相沉積裝置（MOCVD）的技術引數，MOCVD是在襯底上生長半導體薄膜的關鍵裝置，以前不包括氧氣。 以下為3個b.1.a.條目描述的簡單翻譯：
1.設計或改裝用於在 2 公釐或更遠的距離內生產厚度小於 75 均勻度的矽以外的任何材料層的裝置5%；包括原子層外延（ALE）裝置。
2.有機金屬化學氣相沉積 （MOCVD） 反應器設計用於具有以下兩種或多種元素的化合物半導體的外延生長：鋁、鎵、銦、砷、磷、銻、氧或氮
3.使用氣體或固體源的分子束外延生長裝置 （MBE）。
*： 2024年修訂版《瓦森納協議》
氧化鎵是一種新型的超寬頻隙半導體材料，是全球領先的半導體材料，受到廣泛關注，並被公認為第乙個開始產業化的半導體材料。 與碳化矽、氮化鎵等第三代半導體相比，氧化鎵的帶隙寬度遠高於後兩者，從功率半導體特性來看，與上一代半導體材料相比，氧化鎵材料具有更高的擊穿電場強度和更低的導通電阻，從而產生更低的能量損耗和更高的功率轉換效率。 氧化鎵具有良好的化學穩定性和熱穩定性，成本低廉，製備方法簡單，易於批量生產，在工業化方面優勢明顯。
今年3月，習郵電大學半導體新器件與材料重點實驗室陳海峰教授團隊成功製備了8英吋矽片上的高品質氧化鎵外延片這一成果標誌著我國超寬頻隙半導體研究取得重要進展。
*：習郵電大學官方網站。
瓦森納協議限制了哪些感測器？
從全文來看，在《瓦森納協定》中，“感測器”一詞出現了141次，而此前因為華為沒有可用的核心，就引起了公眾的關注“積體電路”，出現76次“半導體”一詞一文共出現了52次。
受制裁的感測器技術種類繁多，無論是機械、聲學、光學......，都躋身於《瓦森納協定》控制的頂級技術之列幾乎所有型別的感測器都可以在瓦森納協議中找到幾乎沒有任何感測器技術不受瓦森納協議的限制
例如，在加工第2類材料時，特別列出了對磁浮軸承系統技術的限制：
具體而言，以下元件是為此目的而設計的： ......3.高溫位置感測器（450k 177以上）。
第7類導航和航空電子裝置，慣性測量單元 （IMU）、加速度計、陀螺儀等感測器的限制。
瓦森納協議，感測器全文出現141次，對感測器的主要限制列在6類感測器和雷射器，主要有聲學、光學、雷射、雷達、重力儀、電磁感測器......等等。
此外，不僅感測器本身，其他禁止技術中需要使用的關鍵感測技術也一一列出從中可以看出美國等西方國家對中國掌握先進感測器技術的恐懼。
什麼是瓦森納協議？
從上面，我們已經看到了感測器技術在瓦森納協議中的“地位”，那麼什麼是瓦森納協議，它給我們中國帶來了多大的麻煩呢？
《瓦森納協定》的前身是巴黎協調委員會（簡稱“巴統”），該委員會於2024年在美國領導下成立，英國、日本、法國、澳大利亞等17個國家參加主要目的是在蘇聯等社會主義國家發展高階**，當然還有中國。
中國於2024年被列入名單，此後西方國家對中華人民共和國實施了長達70年的技術制裁。 這也是人類歷史上對單一國家最長的技術封鎖。
由於禁運，中國缺乏先進的計算機，中國的核爆炸實驗是用手搖計算機計算的。
隨著2024年蘇聯解體，巴黎協調委員會名存實亡，並於2024年正式解散。 然而，中國並沒有迎來“好日子”，2024年，在美國的建議下，它轉身成立了乙個更嚴格的“旨在控制常規和高科技的國際組織”，這就是《瓦森納協定》。
目前，《瓦森納協定》有42個簽署國，其中17個是巴統的前成員。 具有 諷刺 意味俄羅斯、烏克蘭等前蘇聯核心成員國也加入了這一行列。
《瓦森納協定》簽署國的分布情況。
雖然《瓦森納協議》是乙個較為寬鬆的國際組織，各國可以根據本國國情向非成員國出口產品，但正是這個框架給了美國隨意干預國家的理由。
《瓦森納協議》給中國帶來了多大的麻煩？
中國很多高科技產業，包括感測器產業和MEMS產業，我們經常聽到落後的乙個重要原因是起步緩慢，這使我們處於被動追趕的境地。
那麼，中國高科技產業起步緩慢的原因是什麼呢？這是《瓦森納協議》給中國帶來的巨大煩惱，也是中國許多高科技產業發展緩慢的關鍵原因。
西方國家幾乎從中華人民共和國成立之初就對中國實行嚴格的科技封鎖，所以今天的中國科技基礎，除了蘇聯的早期援助外，都是自己發展起來的。
建國初期從蘇聯進口的156個專案和相關技術，其中包括現代國家所需的大部分工業部門因此，中國初步建立了自己的工業生產和科研體系。
以中國感測器產業為例我國最早的感測器是20世紀50年代仿製前蘇聯的機械或機電感測器在模仿蘇製地對地飛彈（1059）的過程中，研究人員研製出了中國第乙個渦輪流量感測器。 五十年代後期，出現了第乙個半導體熱敏電阻。
我國感測器製造業的正式發展始於20世紀60年代，2024年建立了我國第一批壓阻式感測器研製生產單位2024年，研製成功國內第一台實用型壓阻式壓力感測器2024年，中國第一台固態壓阻式加速度計誕生2024年，在國內率先開始研究矽微機械系統（MEMS）加工技術和SOI（絕緣體上矽）技術。
感測器是非常敏感的高科技技術，受到《瓦森納協定》的強烈限制。 因為無法獲得最新的科學成果我國感測器產業幾乎所有的科研都需要自己去探索和發展，這是“慢”的乙個重要原因。
乙個著名的例子，2024年，捷克共和國取消了對中國的雷達出口訂單。捷克共和國此前已批准向中國出口價值6000萬美元的Vera雷達系統的許可證，該專案談判了數年，雙方都滿意。
結果，2024年5月19日，捷克共和國突然取消了這筆交易，解釋說這是應一位“好朋友”的要求做出的決定，即雷達可以幫助中國探測美國飛機。
幾天後，美國證實，美國確實與捷克討論了中國問題，並對捷克作出這一決定感到高興。
此外，《瓦森納協議》是**，美國限制了許多中國公司的發展。
華為被制裁，沒有可用的晶元，為什麼中芯國際一直趕不上三星和台積電製造更先進的晶元？
因為中芯國際買不到先進工藝的光刻機！在美國的壓力下，中芯國際只能購買5年前的ASML光刻機！
英特爾、三星和台積電在 2015 年購買了 ASML 10nm 光刻機。 和大陸中芯國際在2024年只能購買ASML在2024年生產的32nm光刻機。 五年時間足以讓半導體更新市場三次。
在 2021 年 11 月的瓦森納協議修訂版中，增加了 ECAD 軟體和 GAAFET（全柵極場效應電晶體）的最新配方ECAD軟體主要用於積體電路或印刷電路板的設計、分析、優化和驗證當FinFET結構發展到7nm時，晶元工藝的小型化會遇到困難，而GaAFET結構的出現可以使晶元工藝工藝進一步減少。
中芯國際FinFET工藝可以進一步將14nm工藝提公升到與台積電7nm工藝相似的水平
CAD等工業軟體，是我國尚未完全掌握和非常重要的關鍵技術，在工業、設計等諸多方面的重要用途，詳見《這是我國感測器脖子最嚴重的地方！100%無國產！內容。
可以看出，這是為了阻止中國企業掌握CAD相關技術，進入7nm工藝，並特意增加了限制。
一樣早期的紅外探測器晶元——紅外感測器的核心，中國不能生產，需要從國外進口。
中國紅外感測器公司高德紅外一直在從法國公司採購紅外探測器晶元，然後封裝紅外感測器出售。
2024年，法國迫美國壓力，禁止企業向高德紅外出口紅外探測器晶元，高德紅外陷入核心短缺危機——這和今天沒有晶元的華為手機一樣。
於是，高德紅外只能自主研發紅外探測器晶元，從而成為當今中國紅外感測器的領跑者。 關於高德紅外的故事，請參考《湖北首富也是感測器》。
結論
中國的科學技術發展到今天這個地步，並不容易。
只要中國沒有掌握技術，具有發展前景的高新技術幾乎全部在瓦森納協議中尤其是感測器技術最為王道。
在工業上，幾乎所有的高精度感測器都涉及這類問題因此，中國感測器企業在發展之初，最好牢牢把握自主智財權核心技術的信念，因為越是高階感測器，就越會遇到這堵“牆”。
向所有不斷突破壟斷封鎖技術、提公升國產技術天花板的中國企業致敬！