用於CMP拋光的電子級奈米矽溶膠CY S10B

單晶矽和多晶矽是製造太陽能電池半導體晶元的關鍵材料，其表面質量直接影響電池的光電效能。 為了獲得更高效的太陽能電池，必須對其進行拋光以提高表面反射率並降低表面粗糙度。 近年來，奈米矽溶膠作為一種新型的拋光材料，在拋光領域顯示出巨大的應用潛力。

奈米矽溶膠CY-S10B是奈米二氧化矽在水中的分散體，普通矽溶膠雜質含量大，僅限於傳統工業領域。 為了滿足半導體精密拋光CMP和太陽能行業的要求，我們採用特殊工藝生產高純度電子級10nm矽溶膠，粒度分布均勻，晶型完整，純度高於99999%，拋光精度 Ra 02nm，TTV 3 m，適用於35以下的低溫拋光工藝，其顆粒形貌、濃度、分散介質、pH值等可調。

在太陽能電池拋光中，奈米矽溶膠CY-S10B主要用作拋光劑。 首先，將奈米矽溶膠塗在矽片表面，通過物理和化學作用對表面進行精細研磨和腐蝕。 這有效地去除了表面的微小凸起和劃痕，使表面更光滑。 同時，由於奈米矽溶膠的均勻覆蓋，可以實現矽片表面所有區域的均勻拋光。

此外，奈米矽溶膠CY-S10B的化學穩定性使其在拋光過程中不會與矽片發生化學反應，避免了可能的表面損傷。 同時，可以在拋光後的矽片表面形成均勻的二氧化矽保護膜，以提高其耐候性和穩定性。