隨著科學技術的不斷發展，新的儲存技術也不斷湧現，其中磁隨機存取儲存器（MRAM）因其獨特的優勢而成為儲存器行業的熱點。 近日，浙江赤拓科技股份有限公司（以下簡稱“赤拓科技”）成功研發出自主儲存晶元、嵌入式IP等系列產品，技術水平處於全球第一梯隊，無疑為MRAM新技術的應用開闢了一條新路徑。近日，浙江赤拓科技股份有限公司（以下簡稱“赤拓科技”）B輪融資簽約儀式舉行。 會上，金融控股投資公司、誠通混改、誠通國測、國信綜合改革、湖州新創、尚奇資本等與赤拓科技簽訂增資合同。 據介紹，馳拓科技擁有國內領先、世界一流的12英吋新型儲存晶元中試線，建立了28nm、40nm等多項先進工藝平台，自主研發並掌握了MRAM設計製造的全套關鍵技術，並成功研發了自主儲存晶元和嵌入式IP等產品， 技術水平處於世界第一梯隊，是國內領先的新型高階儲存晶元設計製造製造商。
MRAM是一種新型的非易失性儲存器，它利用磁性材料的特性，通過改變磁矩的方向來儲存資料。 與傳統的DRAM和SRAM相比，MRAM具有更高的讀寫速度、更低的功耗、更長的使用壽命和更好的耐久性。 這些優勢使得MRAM在物聯網、人工智慧、工業控制、汽車電子等領域具有廣泛的應用前景。
作為國內領先的新型高階儲存晶元設計與製造商，赤拓科技自主研發並掌握了MRAM設計製造的全套關鍵技術，並成功研發了單機儲存晶元、嵌入式IP等系列產品。 這不僅標誌著中國MRAM技術研發取得重要突破，也在中國全球儲存器市場的競爭中贏得了更多的話語權。
然而，儘管MRAM具有許多優點，但其商業應用仍面臨一些挑戰。 首先，MRAM相對較高的製造成本限制了其在大規模生產中的應用。 其次，MRAM的穩定性和可靠性有待進一步提高。 此外，MRAM的資料保留時間相對較短，這對於需要長時間儲存資料的應用來說是乙個挑戰。
儘管如此，隨著技術的不斷進步，這些問題還是有可能得到解決的。 例如，通過採用新材料和新工藝，可以降低MRAM的製造成本;通過優化設計和改進製造工藝，可以提高MRAM的穩定性和可靠性通過提高資料保留時間，可以拓展MRAM的應用場景。
在全球範圍內，也有多家公司在MRAM技術的研發方面取得了重大進展。 例如，美國的英特爾公司和日本的日立公司都在MRAM技術的研發方面取得了重要突破。 英特爾成功開發了基於自旋轉矩傳遞機制的MRAM技術，而日立則成功開發了基於自旋轉矩傳遞機制的MRAM技術。 這些公司的研究成果不僅推動了MRAM技術的發展，也為全球儲存器市場的發展提供了強大的動力。