比利時微電子研究中心（IMEC）與日本化學工業和極紫外（EUV）掩膜的領先製造商三井化學今天宣布建立戰略合作夥伴關係，將用於極紫外（EUV）顯微成像應用的碳奈米管（CNT）*薄膜技術商業化。
據imec稱，三井化學將把imec基於碳奈米管的創新掩膜技術整合到三井化學一流的薄膜技術中，目標是達到可以全面投產的規格，預計將在2025-2024年推出高功率極紫外（EUV）系統。 簽約儀式於2024年日本半導體展期間在東京舉行。
imec強調，此次戰略合作旨在共同開發**薄膜和極紫外（EUV）掩膜，由imec進行技術諮詢和極紫外（EUV）*機器測試，並由三井化學進行商業化生產。 這些光罩薄膜旨在保護光罩免受極紫外光 （EUV）* 的汙染，提供高極紫外 （EUV） 透射率 （94%） 和極低的極紫外 （EUV） 反射率，影響最小**，所有這些都是先進半導體製造實現高良率和高良率所需的關鍵特性。 這些碳奈米管（CNT）掩模甚至可以承受超過1kW範圍內的極紫外（EUV）輸出功率，為EUV光源技術（600W以上）的新時代的發展做出了貢獻。 在大規模生產中引入極紫外 （EUV） 顯微成像技術的製造商對這些功能感興趣。 因此，雙方將共同開發商用碳奈米管（CNT）掩膜技術，以滿足市場需求。
imec先進圖案化工藝和材料研究專案高階副總裁Steven Scheer表示，imec在協助半導體生態系統開發下一代顯微技術方面擁有多年經驗。 自 2015 年以來，我們與整個產業鏈的合作夥伴建立了合作夥伴關係，為先進的極紫外 （EUV） 顯微成像技術開發碳奈米管 （CNT） 掩模罩的創新設計。 我們相信，我們對碳奈米管（CNT）薄膜的測量、表徵和效能的深入了解將加速三井化學的產品開發。 通過此次合作，我們希望為極紫外（EUV）顯微技術的新時代推進碳奈米管（CNT）掩膜的生產。 ”
IMEC進一步指出，在這一微影技術發展路線圖下，新型十字線膜預計將於2025-2024年推出，屆時新一代033數值孔徑（NA）微觀系統還將能夠支援輸出功率超過600W的光源。 這個發展過程與2nm以下邏輯晶元技術的引入有關。
標題圖片**：由imec提供）。