儲存晶元是積體電路的三大類之一，應用範圍廣泛，約佔晶元總數的三分之一。 因此，儲存晶元在一定程度上反映了乙個國家或地區的半導體發展水平。
儲存晶元從美國崛起，然後是日本公司崛起，然後是南韓公司帶頭，而我們這幾年才開始突破。 即便如此還是被美光盯上了，在被教訓了近日官宣後，再次展現好感！
我們大陸是全球最大的晶元消費市場，我們每年需要消耗非常大量的晶元，但晶元自給率很低，而且大部分晶元主要依賴進口，所以大陸也是全球最大的儲存晶元採購地。
然而，近年來，全球儲存晶元DRAM和NAND兩大系列一直被美國、日本和南韓公司壟斷，三星、SK海力士、美光等儲存巨頭賺得盆滿缽滿，尤其是三星，連續多年位居全球儲存晶元第一。
三星在記憶體DRAM市場占有率超過40%，在快閃記憶體NAND市場占有率超過30%。
在儲存晶元被國外巨頭壟斷的情況下，會時不時出現工廠火災等突發事件，因此儲存晶元的價格會迅速上漲，我們只能被別人砍韭菜，因為儲存晶元主要依賴進口。
要打破這種局面，就要發展獨立的儲存晶元產業，以免一直被別人控制。
為此，我司開始發力，逐步形成了大陸儲存三足鼎立的局面：致力於DRAM儲存器的合肥長鑫、致力於快閃記憶體NAND的長江儲存、致力於普通儲存的福建金華。
在國內企業的努力下，國產儲存晶元打破了國外壟斷，部分技術達到全球領先水平。
但這很快引起了美方的注意，尤其是美國儲存巨頭美光，在全球儲存領域僅次於三星和SK海力士，在2024年以25%的DRAM份額排名第三，NAND以12%的份額排名第五。
但身處這個位置的美光，在看到我們國內儲存的崛起時，似乎也感受到了某種危機感。
於是，美光這幾年一直在遊說美國，近五年遊說多達170次，甚至為此花費了954億美元，其目的就是積極推動美國打壓我們國內儲存的發展。
因此，美國在去年10月發布的新出口管制法規中增加了對儲存晶元的限制。
不僅如此，美方還將長江儲存列入所謂“實體清單”。 因為長江儲存發展得非常快，打造了自己的XTACking架構，232層NAND晶元領先三大儲存巨頭實現了量產。
這還不是全部，更令人氣憤的是，美光一直把目標對準了福建金華。 福建金華成立後，選擇與台灣企業聯電合作，金華出資3億美元購置研發裝置，委託聯電開發DRAM相關技術。
後來又被美光起訴，指控聯電員工竊取美光DRAM商業機密，涉嫌幫助金華研發。 隨後，美國將福建金華列入“實體清單”，通緝金華總經理等三人。
後來，聯電向美國支付了6000萬美元的罰款，並與美光達成和解，但金華的發展卻停滯不前。
今年5月，中國國家網際網絡資訊辦公室對美光在華產品展開安全審查，發現存在嚴重安全問題，限制了重要部門的採購。
這直接導致美光損失巨大，約385億美元的收入受到影響，如果不解決，它可能會失去更多的份額。 於是，美光開始表現出善意，總裁兩次訪華溝通，還投資43億元擴建習工廠。
近日，有訊息傳來，美光與福建金華達成全球和解，這應該是試圖修復關係的重要舉措。
對此，有外媒直接表示，美光又在示好，因為如果美光不努力解決問題，那麼未來很可能會失去我們這邊的市場，所以美光會積極溝通，採取實際行動。
這樣一來，福建金華的後續發展面臨的困難就會少一些，就能逐步恢復，我們大陸倉儲三方的缺失腳就會被填補，更有利於國內倉儲的發展，進一步降低對外的依賴