資深硬體數字愛好者都知道，測量快閃記憶體顆粒有乙個非常關鍵和重要的指標，那就是堆疊層數。
快閃記憶體粒子是由多個儲存單元相互堆疊而形成的多層結構，這種方案可以實現更高的儲存容量，同時也減小了單個儲存單元的體積，從而減小了整個快閃記憶體粒子的體積。
因此，快閃記憶體顆粒的製造層數很大程度上決定了成品快閃記憶體晶元的儲存容量和效能。 一般來說，製造層數越多，每個儲存單元的體積越小，儲存密度越高，儲存容量越大，效能越高，同時讀寫速度更快。
綜上所述，現在全球各大快閃記憶體顆粒廠商都在競相提高自己的快閃記憶體顆粒的製造層數，其優勢是全方位的，行業競爭非常激烈。
整體發展速度也非常快，最新的主流製造工藝已經從早期的96層、128層、176層發展到最新的232層，現在232層工藝已經成熟，進入了大規模量產和商業化的階段。
那麼，你可能會好奇這樣乙個問題：既然232層工藝已經成熟量產，那麼下乙個接近成熟並即將投入使用的工藝節點是什麼？ - 答案是280層。
今年2月，一年一度的國際固態電路大會（ISSCC）將舉行，在該領域具有重要影響力的快閃記憶體製造商將率居高位，包括三星，該公司最近透露了該公司在該領域的最新進展和計畫。
簡而言之，三星透露，該公司即將推出下一代QLC NAND V9工藝解決方案，其最大的吸引力是顆粒的儲存密度為285GB 平方公釐。
作為參考，SK海力士的176層QLC快閃記憶體顆粒的儲存密度為14威騰電子（該公司已收購鎧俠）的 162 層 QLC 快閃記憶體晶元面積為 40 平方公釐，儲存密度為 13美光的 232 層 QLC 快閃記憶體顆粒面積為 86 平方公釐，儲存密度為 1950 平方公釐。
從以上資料可以看出，三星的QLC快閃記憶體顆粒的儲存密度比所有競爭對手的產品都要高得多，比美光的競爭對手高出46倍2%，領先近50%，可謂“遙遙領先”，有望成為業界資料密度最高的快閃記憶體顆粒。
然而，資料儲存密度只是衡量快閃記憶體製造工藝的重要指標之一，另乙個非常重要的指標是效能，三星的V9 QLC快閃記憶體晶元的效能如何？
據悉，其最大速率為32 Gbps，目前該公司效能最高的 QLC 的最高速率為 2與33%的增長相比，4Gbps是乙個不小的增長。
這類儲存晶元主要針對消費級SSD而非企業級SSD，有傳言稱三星將利用這款快閃記憶體晶元推出容量超過8TB的V9 QLC M2 SSD，整體效能和體驗有望大幅提公升，非常值得期待。
三星目前尚未透露其280層QLC記憶體顆粒何時正式量產上市，有猜測很可能是在今年下半年，目前還沒有確切的訊息。
最後，需要補充的是，V9 QLC只是三星改進快閃記憶體晶元設計和製造工藝路線圖中的乙個節點，三星未來將在此基礎上繼續改進。
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